[发明专利]非易失性铁电存储器设备的制备方法和由此获得的存储器设备

权利要求书

1、一种可用于非易失性存储器目的或闭锁电路的设备(30)，所述设备包括：

-选择设备(22)，其具有控制电极(13)和使所述控制电极与所述选择设备的剩余部分绝缘的第一介电层，和

-存储设备(23)，其包括第二介电层，

其中选择设备(22)的第一介电层和存储设备(23)的第二介电层是同一个铁电层(14)的分别的部分。

2、如权利要求1所述的设备，其中，所述选择设备是一包括栅电极(13)、栅极介电层和漏极(19)和源极(20)的晶体管(22)，所述存储设备是一包括第一电极(12)、介电层和第二电极(18)的电容器(23)，其中，晶体管(22)的栅极介电层和电容器(23)的介电层是同一个铁电层(14)的分别的部分。

3、如权利要求1的设备(30)，其中，晶体管(22)的栅电极(13)和电容器(23)的第一电极(12)是第一导电层的分别的部分。

4、如前面权利要求任一项的设备(30)，其中，晶体管(22)的漏极(19)和源极(20)、以及电容器(23)的第二电极(18)是第二导电层的分别的部分。

5、如权利要求1的设备(30)，其中，电容器(23)的第一电极(12)和第二电极(18)与晶体管(22)的漏极(19)、源极(20)或栅极(13)电连接。

6、如权利要求1的设备(30)，其中，晶体管(22)的栅电极(13)、漏极(19)和源极(20)、以及电容器(23)的第一电极(12)和第二电极(18)由PEDOT/PSS形成。

7、如权利要求1的设备(30)，其还包括半导体层(21)。

8、如权利要求7的设备(30)，其中，半导体层(21)是有机半导体层。

9、如权利要求1的设备(30)，其中，铁电层(14)包括开孔(16)。

10、一种可用于非易失性存储器目的或闭锁电路的设备(30)的制备方法，设备(30)包括选择设备(22)和存储设备(23)，选择设备(22)包括控制电极(13)、第一介电层和第一主电极(19)和第二主电极(20)，存储设备(23)包括第一电极(12)、第二介电层和第二电极(18)，所述方法包括：

-在基片(10)上提供和构图第一导电层，由此形成存储设备(23)的第一电极(12)和选择设备(22)的控制电极(13)，

-在所述构图的第一导电层上提供和构图铁电层(14)，由此形成选择设备(22)的第一介电层和存储设备(23)的第二介电层，和

-在所述构图的铁电层(14)上提供和构图第二导电层，由此形成电容器(23)的第二电极(18)和选择设备(22)的第一主电极(19)和第二主电极(20)。

11、如权利要求10所述的方法，其中提供铁电层(14)是提供铁电聚合物层。

12、如权利要求10所述的方法，其中所述对铁电层(14)的构图包括交联所述铁电层。