[发明专利]光学存储介质、光学存储介质的制造方法以及光学存储装置无效

专利信息
申请号: 200480044531.5 申请日: 2004-12-03
公开(公告)号: CN101073118A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 青山信秀 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G11B11/105 分类号: G11B11/105;G11B7/24;G11B7/26
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 黄纶伟
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 光学 存储 介质 制造 方法 以及 装置
【权利要求书】:

1.一种光学存储介质,该光学存储介质至少利用光来进行记录和再现,其特征在于,

该光学存储介质具有:

具有由物理形状的变化而构成的沟槽和岸台的基板;以及

设置于上述基板上的记录层,

上述沟槽或者岸台具有可改写的表示是否经过退火处理的退火管理信息,该退火处理通过照射上述光利用上述沟槽或者岸台来分离上述记录层,提高记录密度。

2.根据权利要求1所述的光学存储介质,其特征在于,上述退火管理信息在上述沟槽或者岸台上形成为凹坑形状。

3.根据权利要求1所述的光学存储介质,其特征在于,上述退火管理信息形成于上述沟槽或者岸台的上述记录层上。

4.根据权利要求1所述的光学存储介质,其特征在于,该光学存储介质具有形成有上述退火管理信息的系统区域和用户区域。

5.根据权利要求1所述的光学存储介质,其特征在于,上述记录层由光磁层构成。

6.根据权利要求1所述的光学存储介质,其特征在于,在上述岸台或者沟槽的退火区域上形成有凹坑形状的内容。

7.一种光学存储介质的制造方法,该光学存储介质至少利用光来进行记录和再现,其特征在于,该光学存储介质的制造方法具有:

形成具有由物理形状的变化而构成的沟槽和岸台的基板的步骤;

在上述基板上形成记录层的步骤;以及

在上述沟槽或者岸台上形成可改写的表示是否经过退火处理的退火管理信息的步骤,该退火处理通过照射上述光利用上述沟槽或者岸台来分离上述记录层,提高记录密度。

8.根据权利要求7所述的光学存储介质的制造方法,其特征在于,形成上述退火管理信息的步骤由在上述沟槽或者岸台上以凹坑形状形成上述退火管理信息的步骤构成。

9.根据权利要求7所述的光学存储介质的制造方法,其特征在于,形成上述退火管理信息的步骤由在上述沟槽或者岸台的上述记录层上形成上述退火管理信息的步骤构成。

10.根据权利要求7所述的光学存储介质的制造方法,其特征在于,形成上述基板的步骤具有在上述沟槽或者岸台的退火区域上形成凹坑形状的内容的步骤。

11.一种光学存储装置,该光学存储装置至少利用光来对光学存储介质进行记录和再现,其特征在于,该光学存储装置具有:

光头,其读取具有由物理形状的变化而构成的沟槽和岸台、并具有记录层的光学存储介质;以及

控制器,其根据从上述光学存储介质中读取的表示是否经过退火处理的退火管理信息,执行通过照射光利用上述沟槽或岸台来分离上述记录层,提高记录密度的退火处理。

12.根据权利要求11所述的光学存储装置,其特征在于,上述光头读取在上述沟槽或岸台上以凹坑形状而形成的上述退火管理信息。

13.根据权利要求11所述的光学存储装置,其特征在于,上述光头读取形成于上述沟槽或岸台的上述记录层上的上述退火管理信息。

14.根据权利要求11所述的光学存储装置,其特征在于,上述光头读取具有形成有退火管理信息的系统区域和用户区域的上述光学存储介质,

上述控制器根据上述退火管理信息来对上述用户区域进行退火处理。

15.根据权利要求11所述的光学存储装置,其特征在于,上述光学存储介质的上述记录层由光磁层构成。

16.根据权利要求11所述的光学存储装置,其特征在于,上述光头在上述退火处理时读取形成于上述岸台或者沟槽的退火区域上的凹坑形状的内容。

17.根据权利要求11所述的光学存储装置,其特征在于,上述控制器在上述退火处理后更新上述光学存储介质的上述退火管理信息。

18.根据权利要求11所述的光学存储装置,其特征在于,上述控制器参照上述光学存储介质的上述退火管理信息来确定对上述光学存储介质的用户区域的记录密度。

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