[发明专利]光学存储介质、光学存储介质的制造方法以及光学存储装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于利用光头进行光学记录和再现的光学存储介质、光学存储介质的制造方法以及光学存储装置，特别涉及在利用沟槽(Groove)或者岸台(Land)划分的各岸台或者沟槽的记录层上记录、再现数据的光学存储介质、光学存储介质的制造方法以及光学存储装置。

背景技术

信息记录介质的高密度化竞争趋于激化，伴随于此，单个记录介质的大容量化正在推进。另一方面，信息记录介质的价格的竞争也激化，正推进着低价格化。通过单个记录介质的大容量化，从而介质的认证(品质保证)和初始化所需时间增加，具有包含品质保证在内的制造成本增加的趋势。

例如在光磁盘(MO Disk)中，通过使用DWDD(Domain WallDisplacement Detection，磁壁移动检出)而在使用大致相同的光学系统的同时，实现了接近以往的Mini Disk的10倍大小的记录容量。为了实现使用该DWDD的更高密度化，提出有使用深槽基板的岸台沟槽记录、对岸台和沟槽的侧壁进行退火，防止轨道间的记录数据的干扰，来实现窄轨道的技术(例如非专利文献1、专利文献1)。

在这种磁壁移动检测中，磁壁不仅沿轨道方向，还沿轨道的横跨方向移动。该磁区的轨道的横跨方向的移动会招致轨道间的数据的干扰。通过图31、图32来具体进行说明。如图31所示，在MO基板400上形成由岸台402所分离的沟槽404。在沟槽404的轨道上，利用光束点412来记录光磁记录标记410，同样地，利用光束点412来进行再现。

如图32所示，基板400上遍及岸台402、沟槽404一样地形成有记录层406。退火处理例如对岸台402照射强度强的激光420，切断基板400内部的记录层406或者使其功能降低。同样地，通过增高岸台402和沟槽404之间的高度、即将沟槽加深，从而可以期待同样的防止轨道间的干扰。

[非专利文献1]论文“15Gbit/in² recording on a DWDD disc using aland/groove substrate with a red laser enabled by a side-wall-annealingprocess”、SPIE(The International Society for optical Engineering)Vol.5069(2003年SPIE)

[专利文献1]日本特开平11-273170号公报

但是，在使用深槽基板的岸台沟槽记录方法中，由于轨道间距窄化，而使得难以在岸台和沟槽两方上形成满足特性的深槽。

另一方面，在对岸台和侧壁进行退火处理时，需要对记录介质进行聚焦(focusing)和对各轨道的侧壁进行跟踪。因此，要对数万轨道这样的记录介质整面进行退火处理，需要非常长的时间(例如每张需要15分钟左右)，由于在记录介质的生产厂家进行该处理，所以制造成本大幅提升。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供即使不在介质生产厂家处进行退火处理也能进行高密度记录的光学存储介质、光学存储介质的制造方法以及光学存储装置。

本发明的另一目的在于提供即使提供的是未经退火处理的存储介质，也能将其变更为可进行高密度记录的存储介质的光学存储介质、光学存储介质的制造方法以及光学存储装置。

进而，本发明的再一个目的在于提供用于降低高密度记录介质的制造成本的光学存储介质、光学存储介质的制造方法以及光学存储装置。

为达成上述目的，本发明的光学存储介质至少利用光来进行记录和再现，其特征在于，该光学存储介质具有：具有由物理形状的变化而构成的沟槽和岸台的基板；以及设置于上述基板上的记录层，上述沟槽或者岸台具有可改写的表示是否经过退火处理的退火管理信息，该退火处理通过照射上述光利用上述沟槽或者岸台来分离上述记录层，提高记录密度。

而且，本发明的光学存储介质优选上述退火管理信息在上述沟槽或者岸台上形成为凹坑形状。

而且，本发明的光学存储介质优选上述退火管理信息形成于上述沟槽或者岸台的上述记录层上。

而且，本发明的光学存储介质优选该光学存储介质具有形成有上述退火管理信息的系统区域和用户区域。

而且，本发明的光学存储介质优选上述记录层由光磁层构成。

而且，本发明的光学存储介质优选在上述岸台或者沟槽的退火区域上形成有凹坑形状的内容。