[发明专利]半导体装置及制造方法有效
| 申请号： | 200480044750.3 | 申请日： | 2004-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN101091240A | 公开（公告）日： | 2007-12-19 |
| 发明（设计）人： | 铃木清市 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司;斯班逊日本有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，具备有相邻设置的焊垫部和配线部，并在上述焊垫设置有空隙区域，以阻碍连接于上述焊垫的接合线的金属原子朝向上述焊垫的上述配线部侧直线扩散，其中，上述配线部和上述焊垫的一部分区域以保护膜覆盖，且在设置于上述一部分区域的空隙区域充填有上述保护膜的一部分。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，在上述焊垫的上述配线部侧的区域至少设有3个上述空隙区域，且该空隙区域配置有数列。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，在上述焊垫的内侧区域设有接合线连接用的开口，且上述至少3个空隙区域中的任一个设置于上述开口的形成区域。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中，上述保护膜是将相对软性的第1绝缘膜和相对硬性的第2绝缘膜依序叠层的多层膜，而上述空隙区域的充填物为上述第1绝缘膜的一部分。
5.如权利要求4所述的半导体装置，其中，上述第1绝缘膜为SOG膜，上述第2绝缘膜为氮化硅膜。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其中，在包围上述空隙区域的上述焊垫的侧壁设有侧面壁。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中，上述侧面壁由钛或含钛的合金所形成。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其中，上述焊垫部和配线部装设在以覆盖埋入配线图案的方式所形成的氧化硅膜上。
9.一种半导体装置制造方法，包括：
在绝缘层上形成导电层，
并将该导电层图案化成焊垫部和配线部，通过上述焊垫的图案化，于上述焊垫形成空隙区域，以阻碍连接在上述焊垫的接合线的金属原子朝向上述焊垫的上述配线部侧直线扩散，
其中，上述配线部和上述焊垫的一部分区域以保护膜覆盖，且在设置于上述一部分区域的空隙区域充填有上述保护膜的一部分。
10.如权利要求9所述的半导体装置制造方法，其中，在上述焊垫的内侧区域形成有接合线连接用的开口。
11.一种半导体装置制造方法，包括：
形成通过绝缘层覆盖的埋入配线图案，
并在上述绝缘层上形成导电层，
将该导电层图案化成焊垫部和配线部，通过上述焊垫的图案化，在上述焊垫的上述配线部侧的区域，形成有和上述焊垫的外周缘往实际相同方向延伸的空隙区域，
其中，上述配线部和上述焊垫的一部分区域以保护膜覆盖，且在设置于上述一部分区域的空隙区域充填有上述保护膜的一部分。
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