[发明专利]等离子体处理过程中减小电弧的方法和装置

权利要求书

1.一种在等离子体处理过程中使用的方法，包括：

将基板水平放置在等离子体室的基板固定器上；

定位盖框架，与基板的下表面接触并接触且覆盖基板固定器的一部分，其中该基板固定器上被覆盖的部分同时位于基板上与该盖框架接触的部分的下方以及位于与基板周边横向邻接且位于外侧的区域的下方；

定位屏蔽框架，位于盖框架上没有被基板所覆盖的部分的上方，其中该屏蔽框架不与基板接触且在该屏蔽框架与基板周边之间存在横向的间隙；

在保持盖框架中性电位的情况下在该基板上执行等离子处理过程，该盖框架放置用于防止等离子接触所述基板固定器，避免引起电弧。

2.权利要求1的方法，其中执行等离子处理过程包括使用屏蔽框架来阻止基板固定器的表面与等离子体室内的等离子体处理过程中的等离子体接触。

3.权利要求1的方法，进一步包括调整等离子体室内的压力、电极间隔、RF功率和气流的至少其中之一。

4.一种在等离子体处理过程中使用的方法，包括：

将基板放置在等离子体室的基板固定器上；

在基板周边下方定位盖框架，该盖框架具有从基板下方的基板周边延伸的第一端和从与该基板横向分离的基板周边延伸的第二端；

定位屏蔽框架，位于盖框架的第二端的部分的上方且与基板周边相间隔，使得屏蔽框架不会与基板接触或位于基板之上；以及

使用所述盖框架和屏蔽框架防止等离子体室内的等离子体处理过程中等离子与该基板固定器相接触。

5.权利要求4的方法，其中使用盖框架和屏蔽框架包括使用盖框架和屏蔽框架来阻止基板固定器的表面与等离子体室内的等离子体处理过程中的等离子体接触，同时在盖框架和屏蔽框架上保持中性或者悬浮电位。

6.一种在等离子体处理过程中使用的方法，包括：

将基板放置在等离子体室的基板固定器上；

将盖框架定位在该基板周边的下方；

定位屏蔽框架，位于盖框架上方且与基板周边相间隔，使得屏蔽框架不会与基板接触或位于基板之上；以及

使用所述屏蔽框架防止等离子体室内的等离子体处理过程中等离子与该基板固定器相接触。

7.权利要求6的方法，其中使用屏蔽框架包括使用屏蔽框架来阻止基板固定器的表面与等离子体室内的等离子体处理过程中的等离子体接触，同时在屏蔽框架上保持中性或者悬浮电位。

8.一种在等离子体处理过程中使用的装置，包括：

适于支撑基板的基板固定器；

盖框架，与基板的下表面接触并接触且覆盖基板固定器的一部分，其中该基板固定器上被覆盖的部分同时位于基板上与该盖框架接触的部分的下方以及位于与基板周边横向邻接且位于外侧的区域的下方；

屏蔽框架，位于盖框架上没有被基板所覆盖的部分的上方，其中该屏蔽框架不与基板接触且在该屏蔽框架与基板周边之间存在横向的间隙；

该盖框架在保持中性电位的情况下在执行等离子处理过程防止等离子接触所述基板固定器，避免引起电弧。

9.权利要求8的装置，其中盖框架至少5mm适于在基板之下。

10.权利要求8的装置，其中屏蔽框架进一步适于阻止基板固定器的表面与等离子体室内的等离子体处理过程中的等离子体接触。

11.权利要求8的装置，其中盖框架至少包含阳极氧化铝和陶瓷其中之一。

12.一种在等离子体处理过程中使用的装置，包括：

盖框架，定位在基板周边下方，该盖框架具有从基板下方的基板周边延伸的第一端和从与该基板横向分离的基板周边延伸的第二端；

屏蔽框架，位于盖框架的第二端的部分的上方且与基板周边相间隔，屏蔽框架不会与基板接触或位于基板之上；以及

所述盖框架和屏蔽框架防止等离子体室内的等离子体处理过程中等离子与该基板固定器相接触。

13.权利要求12的装置，其中所述盖框架和屏蔽框架进一步适于阻止基板固定器的表面与等离子体室内的等离子体处理过程中的等离子体接触，同时在盖框架和屏蔽框架上保持中性或者悬浮电位。

14.权利要求12的装置，其中所述盖框架至少包含阳极氧化铝和陶瓷其中之一。