[发明专利]等离子体处理过程中减小电弧的方法和装置

说明书

本申请要求2004年6月1日提交的美国专利申请序列号10/858,267的优先权，为了所有效果其在这里整个引为参考。

技术领域

本发明一般涉及平板显示器和/或半导体器件的制造，更尤其涉及在等离子体处理过程中减小电弧的方法和装置。

背景技术

图1示出了在等离子体处理过程中使用的常规的装置101。参照图1，常规的装置101包括基板固定器103，例如基座，用于支撑基板105(例如，玻璃基板，聚合体基板，半导体晶片等)。例如使用基板固定器103作为第一电极。常规的装置101包括在等离子体处理过程中用于阻止电弧(例如，在基板固定器103和第二电极(没有示出)之间)的屏蔽框架107。常规装置101的屏蔽框架107的一部分109(例如凸缘)与基板105的边缘区域交迭(例如接触)，并在等离子体处理过程，如薄膜沉积过程中减小电弧(如本领域中公知的)。屏蔽框架107的凸缘109还阻止在基板105的外边缘区域111上的膜沉积，所述外边缘区域称作膜边缘排阻区。尽管常规的屏蔽框架107在等离子体处理过程中减小了电弧，但屏蔽框架107也扰乱了包括常规装置101的处理室(没有示出)中中的处理参数(例如，气流，电场等)。因而，沉积在基板105(例如紧接屏蔽框架107的凸缘109)上的膜不是均匀的厚度。期望出现用于在等离子体处理过程中减小电弧的改善的方法和装置。

发明内容

在本发明的第一个方面中，提供了在等离子体处理过程中使用的第一个方法。该第一个方法包括下述步骤：(1)将基板放置在等离子体室的基板固定器上；(2)在基板周边以下并且邻近基板周边处定位盖框架；以及(3)使用所述盖框架减小等离子体室内的等离子体处理过程中的电弧。

在本发明的第二个方面中，提供了在等离子体处理过程中使用的第二个方法。该第二个方法包括下述步骤：(1)将基板放置在等离子体室的基板固定器上；(2)在基板周边以下并且邻近基板周边处定位盖框架；(3)邻近基板的周边定位屏蔽框架，使得屏蔽框架不会与基板接触或位于基板之上；以及(4)使用所述盖框架和屏蔽框架减小等离子体室内的等离子体处理过程中的电弧。

在本发明的第三个方面中，提供了在等离子体处理过程中使用的第三个方法。该第三个方法包括下述步骤：(1)将基板放置在等离子体室的基板固定器上；(2)邻近基板的周边定位屏蔽框架，使得屏蔽框架不会与基板接触或位于基板之上；以及(3)使用所述屏蔽框架减小等离子体室内的等离子体处理过程中的电弧。提供了多个其它的方面作为依照本发明的这些和其它方面的系统和装置。

从下面的详细描述、所附的权利要求和附图，本发明其它的特征和方面将变得更加显而易见。

附图说明

图1示出了在等离子体处理过程中使用的常规装置。

图2A示出了依照本发明实施方案，在等离子体处理过程中使用的第一个典型的装置。

图2B示出了依照本发明实施方案，在等离子体处理过程中使用的第二个典型的装置。

图3示出了依照本发明实施方案，在等离子体处理过程中使用的第三个典型的装置。

图4示出了图3中第三个典型装置中包含的盖框架的顶视图。

图5示出了图3中第三个典型装置中包含的可选择的盖框架的顶视图。

具体实施方式

本发明的方面提高了等离子体处理过程，例如等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)过程中沉积在基板(例如紧接基板的边缘区域)上的膜的均匀性。此外，将其上没有沉积膜的基板的部分，例如膜边缘排阻区最小化或消除。

图2A示出了依照本发明实施方案，在等离子体处理过程中使用的第一个典型的装置201。参照图2A，等离子体室203中包含第一个典型的装置201。第一个典型的装置201包括适于支撑基板105(例如玻璃基板，半导体基板等)基板固定器204，例如基座。基板固定器204在等离子体处理过程中用作第一电极(例如接地或接电源)。同样地，基板固定器204易受电弧影响。

第一个典型的装置201包括一盖框架205，适于减小等离子体室203内的等离子体处理过程中的电弧。例如，盖框架205可以由铝，陶瓷或其它在等离子体室203内的等离子体处理过程中保持中性或悬浮电位的材料。更具体地说，盖框架205放置在基板固定器204的表面，从而盖框架205可以接触或邻近基板固定器204的一个或多个表面，由此阻止基板固定器204的一个或多个表面接触到在等离子体处理过程中引入等离子体室内的等离子体。