[发明专利]具有改良强度的功率半导体装置无效
| 申请号： | 200510091561.8 | 申请日： | 2005-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN100382333C | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 金钟旼 | 申请（专利权）人： | 敦南科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;郑特强 |
| 地址： | 台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 改良 强度 功率 半导体 装置 | ||
1.一种具有改良强度的功率半导体，包含：
一功率半导体，具有一传导型态一的漏极区域；
一传导型态一的主要外延区域，布置于该漏极区域之上；
多重的传导型态二的主要与次要基体区域，以一条纹状配置布置于该主要外延区域之上；
一传导型态一的次要外延区域，形成于主要基体区域之间；
一传导型态二的边缘区域，围绕次要基体区域，并连接至次要基体区域的两端；
多重的传导型态一的源极区域，形成于主要基体区域的一特定区域之内；
栅极介电质，形成于源极区域、主要基体区域，以及次要外延区域之上；以及
该边缘区域由多重子区域形成。
2.如权利要求1所述的功率半导体，其特征在于，子区域具有球面的边缘。
3.如权利要求1所述的功率半导体，其特征在于，子区域相距比次要基体区域要窄。
4.如权利要求1或3所述的功率半导体，其特征在于，还包含形成源极电极，以通电连接源极区域，以及源极电极的末端布置为比源极区域的末端更接近该边缘区域。
5.一种具有改良强度的功率半导体，包含：
一功率半导体，具有一传导型态一的漏极区域；
一传导型态一的主要外延区域，布置于该漏极区域之上；
多重的传导型态二的主要与次要基体区域，以一条纹状配置布置于该主要外延区域之上；
一传导型态一的次要外延区域，形成于主要基体区域之间；
一传导型态二的边缘区域，围绕次要基体区域，并连接至次要基体区域的两端；
多重的传导型态一的源极区域，形成于主要基体区域的一特定区域之内；
栅极介电质，形成于源极区域、主要基体区域，以及次要外延区域之上；以及
该边缘区域包含直线区段和弯角区段，其中该直线区段的内侧为凹凸起伏状。
6.如权利要求5所述的功率半导体，其特征在于，该直线区段内侧的凸起部为球面。
7.如权利要求5或6所述的功率半导体，其特征在于，还包含形成源极电极，以通电连接源极区域，以及源极电极的末端布置为比源极区域的末端更接近该边缘区域。
8.如权利要求1或5所述的功率半导体，其特征在于，传导型态一为N型而传导型态二为P型。
9.如权利要求1或5所述的功率半导体，其特征在于，该边缘区域并没有与该传导型态一的漏极区域以及源极区域接触。
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