[发明专利]处理具有最小扇贝纹路的衬底的方法

权利要求书

1.一种用于通过蚀刻掩模来蚀刻层中的特征的方法，包括以下步骤：

a)在第一压力下提供聚合物沉积气体；

由所述聚合物沉积气体形成第一等离子体；

在所述蚀刻掩模和所述层的所有露出的表面上形成钝化层；

b)在第二压力下提供蚀刻气体；

由所述蚀刻气体形成第二等离子体；

将由所述蚀刻掩模限定的所述特征蚀刻成为所述层；

以及

c)提供用于在选取的时间参数内在所述聚合物沉积气体和所述蚀刻气体之间进行转换的控制阀，其中，所述第一压力和所述第二压力基本相等，并且其中，重复所述步骤a)和b)，直至实现所述特征。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一压力和所述第二压力之间的差小于10％。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，选取所述第一压力和所述第二压力，以在形成所述特征时使蚀刻速度最优化。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一压力和所述第二压力维持在大约3mTorr至大约300mTorr。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一压力和所述第二压力维持在大约50mTorr。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤a)和b)时间上重叠，以维持持续的等离子体场。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，在持续时间中，所述重叠小于大约20秒。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述选取的时间参数小于大约250毫秒。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在公共室中执行沉积所述钝化层和蚀刻所述特征。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述层是基于硅的衬底。

11.一种用于通过蚀刻掩模来蚀刻层中的特征的方法，其包括：

a)在第一压力下提供蚀刻气体；

由所述蚀刻气体形成第一等离子体；以及

将由所述蚀刻掩模限定的特征蚀刻成为所述层；

b)在第二压力下提供聚合物沉积气体；

由所述聚合物沉积气体形成第二等离子体；

在所述蚀刻掩模和所述层的所有露出的表面上形成钝化层；以及

c)提供用于在选取的时间参数内在所述聚合物沉积气体和所述蚀刻气体之间进行转换的控制阀，其中，所述第一压力和所述第二压力基本相等，并且，其中，重复所述步骤a)和b)，直至实现所述特征。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一压力和所述第二压力之间的差小于10％。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，选取所述第一压力和所述第二压力，以在形成所述特征时使蚀刻速度最优化。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一压力和所述第二压力维持在大约3mTorr至大约300mTorr。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一压力和所述第二压力维持在大约50mTorr。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，步骤a)和b)时间上重叠，以维持持续的等离子体场。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，在持续时间中，所述重叠小于大约20秒。

18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述选取的时间参数小于大约250毫秒。

19.根据权利要求11所述的方法，其中，在公共的室中执行沉积所述钝化层和蚀刻所述特征。

20.根据权利要求11所述的方法，其中，所述层是基于硅的衬底。