[发明专利]包括应力灵敏元件的半导体结构以及于半导体结构中测量应力的方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

应力灵敏元件，该应力灵敏元件的特性表示在该半导体结构(100)内的内部应力状况；以及

电性元件(110)，

其中该应力灵敏元件及该电性元件(110)包括共同层结构(107)的部分。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该应力灵敏元件包括透明材料的线(103)。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中该应力灵敏元件包括弹性元件(509)、(709)。

4.如权利要求3所述的半导体结构，还包括配置用来提供在该弹性元件(509)、(709)及底部表面之间的间隔的至少一个支件(511)、(512)。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该层结构(107)包括至少两层不同的材料。

6.一种用于测量在半导体结构中的应力的系统，包括：

形成于该半导体结构(100)内的应力灵敏元件；

形成于该半导体结构内的电性元件(110)，其中该应力灵敏元件及该电性元件包括共同层结构(107)的部分；

适于测量该应力灵敏元件的特性的第一分析仪，该特性表示在该半导体结构(100)内的内部应力状况；以及

适于测量该电性元件(110)的特性的第二分析仪。

7.如权利要求6所述的系统，其中该应力灵敏元件包括透明材料的线(103)。

8.如权利要求6所述的系统，其中该应力灵敏元件包括弹性元件(509)、(709)。

9.如权利要求6所述的系统，其中该层结构包括至少两层不同的材枓。

10.如权利要求8所述的系统，还包括配置用来提供在该弹性元件(509)、(709)及底部表面之间的间隔的至少一个支件(511)、(512)。

11.一种用于测量在半导体结构中的应力的系统，包括：

形成于该半导体结构内的应力灵敏元件；以及

包括光源(201)及光探测器(209)的分析仪，该分析仪适于测量该应力灵敏元件的特性，该特性表示在该半导体结构(100)内的内部应力状况。

12.如权利要求11所述的系统，其中该应力灵敏元件包括透明材料的线(103)；并且其中该分析仪包括：

适于将通过该光源(201)所发出的光耦合进入透明材料的该线(103)内的输入耦合器；以及

配置用来耦合从透明材料的该线(103)出来的光的输出耦合器。

13.一种用于调整半导体结构的制造工艺的方法，包括：

通过该制造工艺形成第一半导体结构(100)；

在该第一半导体结构(100)内形成应力灵敏元件；

测量该应力灵敏元件的特性，该特性表示在该第一半导体结构(100)内的内部应力状况；

依据该应力灵敏元件的该测量的特性修正该制造工艺；

通过该修正的制造工艺形成第二半导体结构；以及

在该第二半导体结构内形成电性元件(110)。

14.如权利要求13所述的方法，其中形成该应力灵敏元件包括在该第一半导体结构内形成透明材料的线(103)。

15.如权利要求14所述的方法，其中测量该应力灵敏元件的该特性包括测量在透明材料的该线(103)内所反射的光的波长。

16.如权利要求15所述的方法，其中测量该应力灵敏元件的该特性包括测量在透明材料的该线(103)内光学路径的长度的改变。

17.如权利要求13所述的方法，其中形成该应力灵敏元件包括形成弹性元件(509)、(709)。

18.如权利要求17所述的方法，其中测量该应力灵敏元件的该特性包括测量该弹性元件(509)、(709)的挠曲。