[发明专利]形成具有匹配几何形状的集成电路部件的系统和方法

权利要求书

1、一种形成集成电路部件的方法，包括：

形成第一光掩模，该第一光掩模包括具有对应于第一类型的集成电路部件的第一几何形状的第一掩模部件；

执行第一光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第一位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第一集成电路部件；以及

执行第二光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第二位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第二集成电路部件。

2、如权利要求1的方法，还包括：

该第一和第二集成电路部件位于集成电路装置中；以及

该第一和第二集成电路部件是相关的，使得集成电路装置的性能至少基于第一集成电路部件的电特性，其至少基本上相同于第二集成电路部件的电特性。

3、如权利要求1的方法，其中：

第一类型的集成电路部件包括电阻器；

第一集成电路部件包括第一电阻器；

第二集成电路部件包括第二电阻器；

该第一和第二电阻器位于集成电路装置中；以及

该第一和第二电阻器是相关的，使得集成电路装置的性能至少基于第一电阻器的电阻，其至少基本上相同于第二电阻器的电阻。

4、如权利要求1的方法，其中：

第一类型的集成电路部件包括电容器；

第一集成电路部件包括第一电容器；

第二集成电路部件包括第二电容器；

该第一和第二电容器位于集成电路装置中；以及

该第一和第二电容器是相关的，使得集成电路装置的性能至少基于第一电容器的电容，其至少基本上相同于第二电阻器的电容。

5、如权利要求1的方法，还包括执行一个或者多个附加的光刻工艺，以将第一光掩模的第一部件的第一几何形状转移到半导体晶片的一个或者多个附加位置的每一个，以形成第一类型的集成电路部件的一个或多个附加集成电路部件。

6、如权利要求1的方法，其中：

执行第一光刻工艺包括相对于第一管芯在第一位置处对准第一光掩模；

执行第二光刻工艺包括相对于第一管芯在第二位置处对准第一光掩模。

7、如权利要求1的方法，还包括使用第二光掩模执行一个或者多个附加的光刻工艺，以在第一管芯上形成一个或者多个附加集成电路部件。

8、如权利要求7的方法，其中该一个或者多个附加集成电路部件包括第二类型的集成电路部件的至少一个集成电路部件。

9、如权利要求7的方法，其中：

第一类型的集成电路部件包括具有关键几何形状的集成电路部件；以及

该一个或者多个附加类型的集成电路部件包括第二类型的集成电路部件，所述第二类型的集成电路部件包括具有非关键几何形状的集成电路部件。

10、如权利要求7的方法，还包括：

第一掩模部件形成在与第一管芯的第一区对应的第一光掩模的第一区中，在第一管芯上的第一和第二位置设置在第一管芯的第一区中；

该一个或者多个附加集成电路部件设置在第一管芯的第二区中；以及

第二光掩模包括一个或者多个第二掩模部件，其用于在第一管芯的第二区中形成该一个或者多个附加集成电路部件。

11、如权利要求10的方法，其中第一管芯的第一区不同于第一管芯的第二区。

12、如权利要求1的方法，还包括：

形成包括多个第二掩模部件的第二光掩模，该多个第二掩模部件的至少一个具有对应于第二类型的集成电路部件的第二几何形状；以及

使用第二光掩模执行单一的光刻工艺以在第一管芯中形成多个附加集成电路部件。