[发明专利]形成具有匹配几何形状的集成电路部件的系统和方法

说明书

技术领域

本发明总体上涉及集成电路制造，更尤其涉及一种形成具有匹配几何形状的集成电路部件的系统和方法。

背景技术

集成电路装置通常包括多种电路部件，例如多种晶体管、电阻器和电容器。使用多种集成电路制造技术，例如多种沉积和光刻技术，通过在半导体晶片(例如硅晶片)中形成特定的几何形状，可以制造这种集成电路部件。在一些例子中，集成电路装置的两个或者更多个电部件彼此相关，使得这些电部件中的一个或者多个特性必须“匹配”，以便使集成电路装置正确地或者按照需要运行。例如，可能必要的是，集成电路装置中的特定电阻器对提供相同量的电阻，以便使装置正确地运行。作为另一个例子，可能必要的是，集成电路装置中的特定电容器对提供相同量的电容，以便使装置正确地或者按照需要运行。

为了提供具有“匹配的”电特性的这种部件，已经对在半导体晶片中形成具有相同几何形状的部件作出了尝试。然而，多种因素通常导致形成在半导体晶片中的集成电路部件的几何形状的缺陷和不一致，例如包括在集成电路部件的形成中使用的光掩模中形成的几何形状的缺陷、和集成电路部件的光刻成像有关的缺陷、和用于光刻成像工艺的透镜有关的缺陷、和/或在光刻成像工艺期间由光反射导致的缺陷。

如果确定需要匹配的一对集成电路部件实际上不匹配，则可以修改半导体晶片上的该对部件中的一个或者两个的物理几何形状。例如，使用常规的技术，可以将“凸出部(tab)”激光烧蚀到这些部件的一个或者两个，直到确定这些部件的相关特性或者特性(例如，一个或者多个电特性)匹配为止。对半导体晶片上的这些部件的这种处理可能增加循环时间和人力，其可能降低效率并由此增加制造集成电路装置的成本。

发明内容

根据本发明的教导，已经基本上减少或者消除了和在晶片上形成关键几何形状集成电路部件相关的缺点和问题。在特定实施例中，使用第一光刻工艺在管芯上形成第一类型的集成电路部件的第一集成电路部件，以及使用第二光刻工艺在管芯上形成第一类型的集成电路部件的第二集成电路部件。

在一个实施例中，提供了形成集成电路部件的方法。形成第一光掩模，第一光掩模包括具有和第一类型的集成电路部件对应的第一几何形状的第一掩模部件。执行第一光刻工艺以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第一位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第一集成电路部件。执行第二光刻工艺以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到半导体晶片上的第一管芯上的第二位置，以在第一管芯上形成第一类型的集成电路部件的第二集成电路部件。

在另一个实施例中，提供了集成电路装置。该集成电路装置包括第一类型的集成电路部件的第一集成电路部件和第一种类型的集成电路部件的第二集成电路部件。第一集成电路部件设置在半导体晶片上的第一管芯上的第一位置处，并至少通过以下步骤形成：形成包括具有对应于第一类型的集成电路部件的第一几何形状的第一掩模的第一光掩模；并执行第一光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到第一管芯上的第一位置，以形成第一集成电路部件。第二集成电路部件设置在半导体晶片上的第一管芯上的第二位置处，并至少通过以下步骤形成：执行第二光刻工艺，以将第一光掩模的第一掩模部件的第一几何形状转移到第一管芯上的第二位置，以形成第二集成电路部件。

本公开的一个优点是可以提供形成具有基本上相同的几何形状的关键几何形状集成电路部件的系统和方法。尤其是，通过使用光掩模上的单一图案几何形状将特定集成电路部件的多个范例(instance)形成在管芯的不同位置上，和用于形成这些部件的现有技术相比，可以减小各个集成电路部件之间的几何形状差异。结果，可以减少或者消除校正晶片上的集成电路部件所需的修复(例如激光烧蚀修复)的数量，其被发现具有“不匹配的”、不准确的或者另外不希望有的几何形状，由此减少循环时间，增加产量，和/或降低成本。

这些技术优点的全部、一些或者没有一个可以存在于本发明的多种实施例中。从下述的附图、说明书和权利要求，其它的技术优点对于本领域技术人员可以是显而易见的。

附图说明

通过结合附图参考下述的描述可以获得更全面和彻底地理解本实施例及其优点，其中类似的参考数字表示类似的特征，以及其中：

图1示出了包括多个管芯或者芯片的实例半导体晶片的顶视图，每个包括一个或者多个根据本发明形成的集成电路；

图2示出了图1的半导体晶片的单个管芯，其包括根据本发明的实施例形成的集成电路部件；