[发明专利]制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法、由该方法获得的用于磁记录介质的玻璃基底、和使用该基底获得的磁记录介质

说明书

相关申请的交叉引用

本申请是根据35 U.S.C.§111(a)提交的申请，其根据35 U.S.C.§119(e)(1)要求临时申请60/606,420的提交日优先权，该临时申请是根据35 U.S.C.§111(b)于2004年9月2日提交的。

技术领域

本发明涉及制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，涉及由该方法获得的用于磁记录介质的玻璃基底，还涉及使用该基底获得的磁记录介质。更具体地，本发明涉及制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，其中抛光结晶玻璃基底，然后在纹理化处理之前洗涤，还涉及由该方法获得的用于磁记录介质的玻璃基底和使用该基底获得的磁记录介质。

背景技术

用于磁记录介质(例如硬盘)的玻璃基底必须具有高平整度、光滑度以及表面清洁度。因此，玻璃基底要经过用于表面抛光的步骤和用于洗涤的后继步骤。由此类方法获得的用于磁记录介质的玻璃基底还要经过作为磁记录介质制造步骤的纹理化步骤。

使用例如氧化铈的磨料粒作为抛光剂，可对玻璃基底表面进行有效的抛光，但当这种磨料粒在抛光之后留在玻璃表面上时，就会遇到问题。因此，必须在纹理化步骤之前，通过洗涤去除粘附的磨料粒和抛光步骤过程中产生的玻璃屑。由于记录密度提高了，即使痕量的洗涤残余物也会成为制造磁记录介质时的缺陷来源，并因此需要更广泛的洗涤技术。

目前用作磁记录介质基底的玻璃大致分为无定形玻璃和结晶玻璃，后者经设计由于含有通过结晶法沉积在玻璃中的微小晶粒而表现出改进的强度。

使用有机酸或无机酸洗涤无定形玻璃基底是现有技术中已知的。例如，为了制造由无定形玻璃构成的用于磁记录介质的玻璃基底，已经公开了在纹理化步骤之后用草酸洗涤的技术(参看日本未审专利公开2003-212603)。还公开了在化学增强处理之后用草酸洗涤无定形玻璃基底的技术(参看日本未审专利公开2004-2163)。

另一方面，已经公开了用无机强酸(例如氢氟酸、硫酸、硝酸、磷酸或盐酸)水溶液处理结晶玻璃基底(参看日本未审专利公开2000-311336)，还公开了用强碱处理玻璃基底(参看日本未审专利公开2000-302482)。

本发明人已经发现，尽管这些洗涤方法对于去除在加工步骤中作为污染物粘附的抛光剂和痕量金属杂质或粒子相当有效，但它们会产生如下问题：例如，结晶玻璃基底表面在其洗涤过程中粗糙度增大，由基底中的微小缺陷引起的缺陷更多。

此外，已经发现，当通过在基底上形成包括磁膜的记录层以制造磁记录介质时，上述的表面形状变化产生了电磁转化性能受损的现象，并已证明用强酸或强碱洗涤结晶玻璃会导致磁记录介质的质量受损。

发明内容

因此，本发明的目的是提供制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，经由该方法，对于结晶玻璃基底抛光后的洗涤而言，表面粗糙度低且表面缺陷为最低程度，且其中当在所得磁记录介质基底上形成包括磁膜的记录层时，不会损害读写性能；另一目的是提供由上述方法获得的表现出优异特性的用于磁记录介质的玻璃基底，和使用该基底获得的表现出优异特性的磁记录介质。

本发明人发现，如果使用非强碱或强酸而是使用弱有机羧酸进行结晶玻璃基底抛光后的洗涤处理，可以克服上述问题，基于这种发现完成了本发明。

本发明因此包括下列方面。

[1]制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，包括使用磨料粒抛光结晶玻璃基底，然后使用有机羧酸水溶液洗涤所述基底。

[2]根据上文[1]的制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，其中所述有机羧酸是草酸、乙酸、酒石酸、柠檬酸、葡糖酸、琥珀酸、苹果酸或丙二酸。

[3]根据上文[1]或[2]的制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，其中所述有机羧酸水溶液的浓度为0.1至10质量％。

[4]根据上文[1]至[3]任一项的制造用于磁记录介质的玻璃基底的方法，其中所述洗涤在10至80℃的温度进行。

[5]根据上文[1]至[4]任一项的方法制成的用于磁记录介质的玻璃基底。

[6]使用根据上文[5]的用于磁记录介质的玻璃基底制成的磁记录介质。

根据本发明，可以提供用于磁记录介质的玻璃基底，其表面粗糙度低，表面缺陷少，且制成的磁记录介质的读写性能受损程度最小。

本发明的最佳实施方式

现在将描述本发明的优选实施方案。然而，下列解释主要集中于进行本发明的优选例子，而不是为了对本发明的范围施加任何限制。

根据本发明，所用玻璃基底优选为由结晶玻璃构成的片状玻璃。