[发明专利]衬底处理装置无效
申请号: | 200580034403.7 | 申请日: | 2005-05-23 |
公开(公告)号: | CN101061574A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
发明(设计)人: | 木泽浩;古贺贵博;中务胜吉;小笠原和久;山口弘 | 申请(专利权)人: | S.E.S.株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;G03F7/30;G03F7/42;H01L21/306 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人: | 楼高潮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 | ||
1、一种衬底处理装置,具备四方用侧壁包围、上部开口的有底的容器组成的处理槽,和供给此处理槽处理液的第1、第2供给喷嘴管,其特征在于,
上述第1、第2供给喷嘴管,分别由中空筒状体、长距离方向的侧面按规定间隔排列成1列的具有多个喷射口的供给喷嘴管组成,其中第1供给喷嘴管,使其喷射口相对于水平方向以规定角度,向斜下方倾斜,第2供给喷嘴管,使其喷射口相对于水平方向以规定角度,向斜上方倾斜,在上述处理槽的一侧壁面上以规定间隔分离,大致呈水平设置。
2、根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
上述第1、第2供给喷嘴管,分别由多个供给喷嘴管构成,上述第1供给喷嘴管和第2供给喷嘴管以规定间隔分离,交叉地设置。
3、根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
上述第1、第2供给喷嘴管,分别由多个供给喷嘴管构成,分别由多个供给喷嘴管构成,其中第1供给喷嘴管,以通过垂直设置在上述处理槽内的被处理衬底的中心部的水平线为界,位于该水平线的上方,第2供给喷嘴管位于该水平线的下方。
4、根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
上述第1、第2供给喷嘴管,分别由多个供给喷嘴管构成,其中第1供给喷嘴管,以通过垂直设置在上述处理槽内的被处理衬底的中心部的水平线为界,位于该水平线的下方,第2供给喷嘴管位于该水平线的上方。
5、根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
上述第1、第2供给喷嘴管,设置在上述处理槽的一侧壁面的外侧,排列在侧面上的多个喷射口,与上述处理槽的内侧连通。
6、根据权利要求1所述的衬底处理装置,其特征在于,
在上述处理槽中,按照设置有上述第1、第2供给喷嘴管的侧壁高、其以外的侧壁低的方式形成内槽,在此内槽的外周,设置收容从上述内槽溢出的处理液的外槽。
7、根据权利要求6所述的衬底处理装置,其特征在于,
在上述低侧壁的上端面上,刻设多个切削槽。
8、根据权利要求1~7任意一项所述的衬底处理装置,其特征在于,
上述处理槽,在其底壁的外壁面上安装超音波发生器。
9、根据权利要求1~7任意一项所述的衬底处理装置,其特征在于,
具有按照使上述第1、第2供给喷嘴管向上述处理槽,以规定时间间隔,交叉切换的进行处理液的供给的方式,进行控制的控制机构,通过上述的控制机构,使上述处理槽内产生相互不同方向的涡流,通过此涡流,进行衬底的表面处理。
10、根据权利要求8所述的衬底处理装置,其特征在于,
具有按照使上述第1、第2供给喷嘴管向上述处理槽,以规定时间间隔,交叉切换的进行处理液的供给的方式进行控制,且控制上述超音波发生器的控制机构,通过上述控制机构,使上述处理槽内产生相互不同方向的涡流,通过适宜组合此涡流及从上述超音波发生器来的超音波,进行衬底的表面处理。
11、一种衬底处理装置,具备周围被侧壁包围、上部开口的有底容器组成的处理槽,和供给此处理槽处理液的第1、第2供给喷嘴管,其特征在于,
上述第1、第2供给喷嘴管,分别由中空筒状体、长距离方向的侧面上按规定间隔至少排列成1列的具有多个喷射口的供给喷嘴管组成,在上述处理槽的相对的各侧壁面上以规定间隔分离,大致呈水平状设置,此外,设置在一侧壁面上的上述第1供给喷嘴管,使其喷射口相对于水平方向以规定角度,向斜下方倾斜,同样地设置在一侧壁面上的上述第2供给喷嘴管,使其喷射口相对于水平方向以规定角度,向斜上方倾斜,设置在相对的另一侧壁面上的上述第1供给喷嘴管,使其喷射口相对于水平方向以规定角度,向斜上方倾斜,同样地设置在相对的另一侧壁面上的上述第2供给喷嘴管,使其喷射口相对于水平方向以规定角度,向斜下方倾斜地被设置。
12、根据权利要求11所述的衬底处理装置,其特征在于,
上述第1、第2供给喷嘴管,分别由多个供给喷嘴管构成,上述第1供给喷嘴管和第2供给喷嘴管以规定间隔分离、交叉设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造