[发明专利]衬底处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于处理半导体晶片、液晶显示装置用衬底、记录磁盘用衬底、或掩膜用衬底、其他各种衬底的衬底处理装置。

背景技术

在各种衬底的制造工程、例如半导体的制造工程中，附着在半导体晶片(以下称为晶片)表面的污染物质的去除、或不需要的氧化膜、保护膜的剥离等，通过利用各种药液进行的药液处理及利用清洗液的清洗处理等进行。

这样的处理，当在单一的处理槽中进行时，在处理槽内容纳横排设置的多个晶片，从处理槽的底部供给药液及清洗液，使这些液体在槽内循环，实现通过药液及清洗进行的处理。

然而，当被供给的药液及清洗液在槽内出现滞流或湍流时，存在不能去除附着在晶片表面的污染物质等不需要的物资、且一度去除的不需要的物质又再次附着在晶片表面的问题。

因此，为了避免这样的不利情况，已经开发防止在槽内处理液的滞流或湍流发生的衬底处理装置，这样的处理装置正被广泛使用，另外在专利文献中也被广为介绍(例如参照下述专利文献1、2、3)。

图9是表示一种已知的设置在衬底处理装置中的处理槽的截面图，图10是说明图9的衬底处理装置的图，图10A是表示形成于处理槽内的流路的图，图10B是表示通过此衬底处理装置进行处理的衬底的图。

此处理槽20，如图9、10所示，具备用于处理在处理液中以一定间隔、并立状态浸渍的多个圆板形衬底W的四面用侧壁包围的内槽21，和设置在此内槽21的外周、收容从内槽21溢出的处理液的外槽(图示省略)，及在内槽21内用于供给处理液的多个供给喷嘴管22a～22e。各供给喷嘴管22a～22e，其是由分别在筒状体的侧面上具有多个喷射口22a’～22e’的物件构成。

这些供给喷嘴管22a～22e，设置在内槽21的底部21a附近的中央部和其两侧面部及两倾斜面21b附近，以横截内槽21内的方式设置，从各供给喷嘴管22a～22e向被处理衬底W的中心喷射处理液，使处理液在内槽21内循环，实行被处理衬底W的表面处理。

另外，也有不将多个供给喷嘴管设置在处理槽的底部、而设置在侧壁面上的衬底装置(例如参照下述专利文献1)。

图11是表示记载在下述专利文献1上的处理槽的截面图。

此处理槽30，在处理槽的左上方、左下方、右上方及右下方设置了4个供给喷嘴管31a～31d，各供给喷嘴管具有分别通过阀32a～32d连接到处理液的供给源33a～33d的构成。

从各供给喷嘴管31a～31d供给的处理液，对于被处理的衬底W，分别向规定的方向进行供给。也就是说，从供给管31a向衬底W的左上方、从供给管31b向左下方、从供给管31c向右上方、及从供给管31d向右下方，分别以规定的顺序进行供给。另外，在处理槽30的底部形成排液口，此排液口以介设阀34的方式，通过配管连接到排液处理部35。

还有，也有除了使处理液在处理槽内循环、而且还产生涡流，通过此涡流进行表面处理的衬底处理装置(例如参照下述专利文献2)。

图12是表示记载在下述专利文献2上的处理槽的截面图。

此处理槽40，槽内壁面全部以螺旋形状的凹凸形成，处理液的供给部设置在处理槽的底部区域，此供给部具有设置了沿着螺旋形状决定处理液吐出方向的2个供给口41、42的结构。另外，在各供给口41、42的周边，附加了控制处理液的吐出方向的整流翅片43、44。

而且，通过从各供给口41、42供给的处理液的吐出力，积极地使贮留槽内产生具有规定方向流向的处理液的涡流，实现被处理衬底的表面处理。

还有，也有代替在处理槽内产生涡流的方式，使衬底旋转进行处理的衬底处理装置(例如参照下述专利文献3)。

专利文献1：特开2001-274133号公报(图3、段落[0029]、[0035]～[0038])

专利文献2：特开2003-282512号公报(图1、段落[0022]～[0025])

专利文献3：特开2000-114233号公报(图3、段落[0027]、[0028])

发明内容

发明预解决的问题

通过上述图9及图10所示的公知的处理槽20，由各供给喷嘴管22a～22e供给的处理液形成图10A所示箭头方向A～C的水流，进行被处理衬底W的表面处理。