[发明专利]已纯化的聚合物材料以及纯化聚合物材料的方法

说明书

相关申请的交叉引用 

本申请是2004年8月19日提交的美国专利申请10/922,194的部分继续申请，该申请是2003年8月26日提交的美国专利申请10/648,604的部分继续申请，它们全都通过引用整体并入本文。 

背景技术

本文公开的是涉及通过使包含聚(亚芳基醚)(poly(arylene ether))和/或聚(链烯基芳族化合物)树脂(poly(alkenyl aromatic)resin)的熔体过滤而纯化聚合物材料的方法。所述方法更具体地涉及过滤包含聚(亚芳基醚)树脂、聚(链烯基芳族化合物)树脂或聚(亚芳基醚)树脂和聚(链烯基芳族化合物)树脂组合的熔体，从而得到微粒杂质含量减少的经过滤的聚合物材料。 

光、磁和磁光介质是高性能存储技术的主要来源，该技术使得高存储容量加上每兆字节存储合理的价格成为可能。通常表示为每平方英寸磁盘表面积千兆比特(千兆比特/平方英寸(Gbits/in²))的面密度，等于线密度(每英寸轨道的信息比特数)乘以表示为每英寸轨道数的轨道密度。提高的面密度已经成为每兆字节价格降低的主要因素，并且面密度的进一步提高一直是工业上所需要的。 

在光存储器领域中，进展集中在存取时间、系统容量和有竞争力的成本。通过着眼于光学器件的衍射极限(使用近场光学器件)、研究三维存储、研究可能的全息记录方法和其他技术，致力于提高面密度。 

聚合物数据存储介质已经用于下列领域中，诸如光盘(CD)和可记录的或可擦写的光盘(如CD-RW)、以及类似的相对低面密度的、如小于约1Gbits/in²的器件，其通常是需要使用双折射低的优良光学性能基材的通读器件(read-through device)。 

与CD不同，面密度容量高、通常达到或大于约5Gbits/in²的存储介质，采用第一表面或近场读/写技术，以便提高面密度。对于所述存储介质，尽 管与基材的光学品质无关，但是基材的物理和机械性能变得愈加重要。对于高面密度的应用，包括第一表面应用，存储介质的表面品质会影响读取装置的准确性、存储数据的能力、和基材的复制品质。 

尽管有目前可用于数据存储介质的材料，但是仍然需要另外的聚合物材料，其具有满足数据存储介质应用日益严格的要求所必需的综合特性。 

发明内容

一种实施方案中，通过以下纯化聚合物材料的方法满足上述需求：所述方法包括在挤出机中熔融共混聚(亚芳基醚)和聚(链烯基芳族化合物)以形成熔体(也称作熔体混合物)；以及通过熔体过滤系统过滤该熔体以制备已过滤的聚合物材料。 

另一实施方案中，所述熔体过滤系统采用滤网组(screen packs)、烧结的金属过滤器、或其结合。另一实施方案中，所述熔体在挤出机中的平均停留时间少于或等于5分钟。 

另一实施方案中，提供一种包含聚(亚芳基醚)和聚(链烯基芳族化合物)的组合物，其中每克所述组合物含有少于30个、或更特别地少于20个、或者甚至更特别地少于10个平均直径为30μm的微粒。 

另一实施方案中，提供一种包含聚(亚芳基醚)和聚(链烯基芳族化合物)的组合物，其中每克所述组合物含有少于200个、或更特别地少于140个、或者甚至更特别地少于100个平均直径为20μm的微粒。 

另一实施方案中，提供一种已过滤的聚合物组合物，其中每克所述已过滤的组合物含有少于30个、或更特别地少于20个、或者甚至更特别地少于10个平均直径为30μm的微粒，同时每克所述已过滤的组合物含有少于200个、或更特别地少于140个、或者甚至更特别地少于100个平均直径为20μm的微粒。 

另一实施方案中，提供包括上述已过滤组合物在内的已过滤的组合物，其中每克所述已过滤的组合物含有零个平均直径为175μm或更大、或更特别地140μm或更大、或者甚至更特别地100μm或更大的微粒。其他实施方案，包括由所述已过滤的聚合物材料制成的制品，在以下进行描述。 

另一实施方案中，提供一种料粒，其基本上不含延伸超过或等于所述料粒直径1/3的表面空隙，其中所述料粒包含本文所述的已过滤的聚合物组 合物。 

另一实施方案中，公开一种制造数据存储介质基材的方法，其包括在挤出机中熔融共混聚(亚芳基醚)和聚(链烯基芳族化合物)以形成熔体；通过熔体过滤系统过滤该熔体以制备已过滤的聚合物组合物；其中基于5次试样测量的平均值，所述已过滤的聚合物组合物符合至少一种以下情况：