[发明专利]在箔衬底上太阳能电池的形成

权利要求书

1.一种形成光生伏打装置吸收体层的方法，包括如下步骤：

提供衬底、至少一个界面层和至少一个导电基本电极层，所述衬底包括至少一个导电铝箔衬底，所述至少一个导电基本电极层包括钼层，其中，所述界面层位于铝箔衬底和基本电极层之间，并且其中，所述界面层禁止在加热期间所述电极中的钼和所述衬底中的铝的相互扩散；

淀积包含纳米粒子的溶液基前体材料，以便在所述衬底上形成初生薄膜吸收体层，所述纳米粒子包括一种或多种IB族、IIIA族和可供选择的VIA族元素；

通过在离衬底表面1/8″到1″处使用辐射热来迅速加热涂覆有纳米粒子的衬底，以便以5℃/s和150℃/s之间的速率，从环境温度快速增加纳米粒子和衬底的温度，从而实现适当的退火和来自VIA族蒸汽环境的VIA族元素的掺入，而铝箔衬底不被衬底在滚筒到滚筒的处理中通过炉的连续处理所损害或破坏，并且不从铝箔衬底产生硒化氢。

2.按照权利要求1的方法，还包括：

从环境温度快速加热初生吸收体层和/或衬底到200℃和600℃之间的平稳温度范围；

在该平稳温度范围中，维持吸收体层和/或衬底2分钟和30分钟之间；和

降低吸收体层和/或衬底的温度。

3.按照权利要求2的方法，还包括在快速加热初生吸收体层和/或衬底之前或期间，把一种或多种VIA族元素掺进初生吸收体层中。

4.按照权利要求2的方法，其中的一种或多种VIA族元素包括硒。

5.按照权利要求2的方法，其中的一种或多种VIA族元素包括硫。

6.按照权利要求2的方法，其中使用一个或多个红外灯进行辐射加热。

7.按照权利要求2的方法，其中形成并快速加热初生吸收体层的步骤是当衬底通过滚筒到滚筒的处理时发生的。

8.按照权利要求2的方法，还包括在快速加热初生吸收体层和/或衬底之后，把一种或多种VIA族元素掺进初生吸收体层中。

9.按照权利要求1的方法，其中，该界面层还包括：铬、钒、钨、玻璃、和/或氧化物。

10.按照权利要求1的方法，其中的形成初生吸收体层包括在衬底上淀积包含IB族和IIIA族元素的油墨膜。

11.一种光生伏打装置，包括：

铝箔衬底；

至少一个界面层；

包括钼层的至少一个导电基本电极层；和

薄膜吸收体层，

其中，所述界面层位于铝箔衬底和基本电极层之间，并且其中，所述界面层禁止在加热期间所述电极中的钼和所述衬底中的铝的相互扩散，

其中，所述薄膜吸收体层是通过淀积包含纳米粒子的溶液基前体材料而在所述铝箔衬底上形成的，所述纳米粒子包括一种或多种IB族、IIIA族和可供选择的VIA族元素，

其中，通过在离衬底表面1/8″到1″处使用辐射热来迅速加热涂覆有纳米粒子的衬底，以便以5℃/s和150℃/s之间的速率，从环境温度快速增加纳米粒子和衬底的温度，从而实现适当的退火和来自VIA蒸汽环境的VIA族元素的掺入，而铝箔衬底不被衬底在滚筒到滚筒的处理中通过炉的连续处理所损害或破坏，并且不从铝箔衬底产生硒化氢。

12.一种形成光生伏打装置吸收体层的方法，包括如下步骤：

提供衬底、至少一个界面层和至少一个导电基本电极层，所述衬底包括至少一个金属化聚合物箔衬底，所述至少一个导电基本电极层包括钼层，其中，所述界面层位于金属化聚合物箔衬底和基本电极层之间，并且其中，所述界面层禁止在加热期间所述电极中的钼和所述衬底中的金属的相互扩散；

淀积包含纳米粒子的溶液基前体材料，以便在所述衬底上形成初生薄膜吸收体层，所述纳米粒子包括一种或多种IB族、IIIA族和可供选择的VIA族元素；

通过在离衬底表面1/8″到1″处使用辐射热来迅速加热涂覆有纳米粒子的衬底，以便以5℃/s和150℃/s之间的速率，从环境温度快速增加纳米粒子和衬底的温度，从而实现适当的退火和来自VIA蒸汽环境的VIA族元素的掺入，而金属化聚合物箔衬底不被衬底在滚筒到滚筒的处理中通过炉的连续处理所损害或破坏，并且不从金属化聚合物箔衬底产生硒化氢。