[发明专利]具有均匀性控制的蚀刻

权利要求书

1.一种在晶片上形成半导体器件的方法，包括：

在晶片上面形成蚀刻层；

在所述蚀刻层上面形成光刻胶掩模；

除去仅环绕所述晶片的外边缘的所述光刻胶掩模，以暴露环绕所述晶片的外边缘的所述蚀刻层；

提供包括含碳和氢物种的沉积气体；

从所述沉积气体形成等离子体；

在环绕所述晶片的外边缘的暴露的所述蚀刻层上沉积聚合物层，其中所述聚合物由来自所述沉积气体的等离子体形成；

及通过所述光刻胶掩模蚀刻所述蚀刻层，同时消耗沉积在环绕所述晶片的外边缘的暴露的所述蚀刻层上的所述光刻胶掩模和所述聚合物。

2.如权利要求1所述的方法，还包括在除去环绕所述晶片的外边缘的所述光刻胶掩模后将所述晶片放在蚀刻室中，其中提供所述沉积气体、从所述沉积气体形成等离子体、沉积聚合物层以及蚀刻所述蚀刻层都就地发生在所述蚀刻室内，并且其中暴露的所述蚀刻层上的所述沉积聚合物层增加了所述晶片上的蚀刻均匀性。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述沉积气体还包括含氟物种，以使所述聚合物层是氢氟碳聚合物。

4.如权利要求3所述的方法，其中除去仅环绕所述晶片所述外边缘的所述光刻胶掩模包括使用湿剥离除去仅环绕所述晶片所述外边缘的所述光刻胶掩模。

5.如权利要求4所述的方法，其中所述除去仅环绕所述晶片的外边缘的所述光刻胶掩模还包括除去仅环绕所述晶片所述外边缘的仅2-3mm的所述光刻胶。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述沉积气体的碳与氢比率的范围从1:1到1:3。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述沉积气体还包括氧气。

8.如权利要求7所述的方法，其中含碳、氢和氟的物种是氢氟碳化合物。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述氢氟碳化合物是CF₃、CH₂F₂和CH₃F中至少之一。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻层包括硅。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述蚀刻层包括氧化硅、SiC和SiCOH中至少之一。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述沉积气体还包括Ar、N₂和C₄F₈。

13.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积气体还包括含氟物种，以使所述聚合物层是氢氟碳聚合物。

14.如权利要求1所述的方法，其中除去仅环绕所述晶片所述外边缘的所述光刻胶掩模包括使用湿剥离除去仅环绕所述晶片所述外边缘的所述光刻胶掩模。

15.如权利要求1所述的方法，其中所述除去仅环绕所述晶片的外边缘的所述光刻胶掩模还包括除去仅环绕所述晶片的外边缘的仅2-3mm的所述光刻胶。

16.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积气体的碳与氢比率的范围从1:1到1:3。

17.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积气体还包括氧气。

18.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积气体还包括氟，并且其中含碳、氢和氟的物种是氢氟碳化合物。

19.如权利要求1所述的方法，其中所述沉积气体包括CF₃、CH₂F₂和CH₃F中至少之一。

20.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻层包括硅。