[发明专利]具有均匀性控制的蚀刻

说明书

技术领域

本发明涉及基于半导体的器件的制造。更具体地说，本发明涉及用于制造具有蚀刻层的基于半导体的器件的改进技术。

背景技术

在半导体晶片加工期间，半导体器件的特征使用熟知的图案形成和蚀刻工艺定义在晶片中。在这些工艺中，光刻胶(PR)材料沉积在晶片上，然后暴露在被分划板过滤的光中。分划板通常是玻璃板，被形成图案具有阻碍光传播通过分划板的示范特征几何图形。

光通过分划板后，接触光刻胶材料的表面。光改变光刻胶材料的化学成分，以使显影剂可以除去一部分光刻胶材料。在正性光刻胶材料的情况下，暴露区域被除去，而在负性光刻胶材料的情况下，未暴露区域被除去。此后，晶片被蚀刻，以从不再被光刻胶材料保护的地方除去下面的材料，并因此在晶片中定义期望的特征。

已知有好几代的光刻胶。193nm光刻胶和157nm光刻胶及更近代的光刻胶期望提供了更小的器件尺寸和增大的器件密度。193nm和157nm光刻胶可以更柔软，且可以是聚合物材料。

发明内容

为了实现前述和其他目的，并根据本发明的意图，提供了一种在晶片上形成半导体器件的方法。蚀刻层形成在晶片上面。光刻胶掩模形成在蚀刻层上面。仅环绕晶片外边缘的光刻胶掩模被除去，以暴露环绕晶片外边缘的蚀刻层。包括含碳和氢物种的沉积气体被提供。从沉积气体形成等离子体。聚合物层被沉积在环绕晶片外边缘的暴露蚀刻层上，其中聚合物由从沉积气体形成的等离子体形成。蚀刻层蚀刻通过光刻胶掩模，同时消耗沉积在环绕晶片外边缘的暴露蚀刻层上的光刻胶掩模和聚合物。

本发明的这些和其它特征将连同附图及下面本发明的详细说明书更详细描述。

附图说明

本发明在附图的图示中通过例子而不是通过限制说明，其中同样的附图标记指类似元件，并且其中：

图1是本发明实施例中所用的工艺的流程图。

图2A-D是根据图1的工艺加工的晶片的示意性侧视图。

图3是可用于本发明实施例的加工室的示意性视图。

图4A-B是可用作控制器的计算机系统的示意性视图。

图5是除去环绕晶片外边缘的光刻胶掩模以暴露蚀刻层的晶片的顶视图。

具体实施方式

现将根据在附图中图示的几个优选实施例，对本发明进行详细描述。在下列描述中，为了提供对本发明的全面理解，阐述了大量的具体细节。然而，对于本领域技术人员，显然本发明可以在没有一些或所有这些具体细节的情况下实践。在其它情况下，众所周知的工艺步骤和/或结构未详细描述，以避免不必要地模糊本发明。

为了易于理解，图1是本发明实施例中所用的工艺的高级流程图。蚀刻层形成在晶片上面(步骤104)。图2A是在晶片204外边缘206处的晶片204的横截面视图。蚀刻层208形成在晶片204上面(步骤104)。蚀刻层可以是导电层或介电层。光刻胶掩模212形成在蚀刻层(208)上面(步骤108)。在此实施例中，在光刻胶掩模212形成之前，抗反射涂层(ARC)210例如BARC放置在蚀刻层208上面，以使ARC 214在蚀刻层208和光刻胶掩模212之间。其它层可以布置在蚀刻层208和光刻胶掩模212之间。

如图2B所示，环绕晶片外边缘的光刻胶掩模被除去(步骤112)以暴露环绕晶片外边缘的蚀刻层。在此例中，为了暴露环绕晶片外边缘的蚀刻层，环绕晶片外边缘的蚀刻层216上面的所有有机材料被除去，以使有机BARC 210也被除去了。图5是环绕晶片外边缘除去光刻胶掩模212以暴露蚀刻层208的晶片204的顶视图。通常，2-3mm的有机材料诸如光刻胶和BARC从环绕晶片外边缘被除去，以消除微粒源防止剥落。