[发明专利]金属氧化物膜的制造方法无效
申请号: | 200580038496.0 | 申请日: | 2005-11-10 |
公开(公告)号: | CN101056716A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
发明(设计)人: | 小堀裕之;大川晃次郎;中川博喜;薮内庸介;野村圭介 | 申请(专利权)人: | 大日本印刷株式会社 |
主分类号: | B05D7/24 | 分类号: | B05D7/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 氧化物 制造 方法 | ||
1.一种金属氧化物膜的制造方法,具有:
第一金属氧化物膜形成工序,其通过使溶解了作为金属源的金属盐或金属络合物、以及选自氧化剂及还原剂的至少一方的第一金属氧化物膜形成用溶液与基材接触,而在所述基材上形成第一金属氧化物膜;
第二金属氧化物膜形成工序,其通过将具备了所述第一金属氧化物膜的基材加热至金属氧化物膜形成温度以上的温度,使之与作为金属源溶解了金属盐或金属络合物的第二金属氧化物膜形成用溶液接触,而获得第二金属氧化物膜,其中所述金属氧化物膜形成温度是指构成第二金属氧化物膜形成用溶液中所含的金属源的金属元素能够与氧结合,在基材上形成金属氧化物膜的温度。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物膜的制造方法,其特征是,在使所述第一金属氧化物膜形成用溶液与所述基材接触之时,混合氧化性气体。
3.根据权利要求2所述的金属氧化物膜的制造方法,其特征是,所述氧化性气体为氧气或臭氧。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的金属氧化物膜的制造方法,其特征是,在使所述第一金属氧化物膜形成用溶液与所述基材接触之时,照射紫外线。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的金属氧化物膜的制造方法,其特征是,通过将所述第二金属氧化物膜形成用溶液喷雾,来使之与具备了所述第一金属氧化物膜的基材接触。
6.根据权利要求1至3中任意一项所述的金属氧化物膜的制造方法,其特征是,所述第二金属氧化物膜形成用溶液含有氧化剂及还原剂的至少一方。
7.根据权利要求6所述的金属氧化物膜的制造方法,其特征是,所述第二金属氧化物膜形成用溶液作为氧化剂含有过氧化氢或亚硝酸钠。
8.根据权利要求6所述的金属氧化物膜的制造方法,其特征是,所述第二金属氧化物膜形成用溶液作为还原剂含有硼烷类络合物。
9.根据权利要求7所述的金属氧化物膜的制造方法,其特征是,所述第二金属氧化物膜形成用溶液作为还原剂含有硼烷类络合物。
10.根据权利要求1至3中任意一项所述的金属氧化物膜的制造方法,其特征是,所述第一金属氧化物膜形成用溶液中所用的金属源含有选自由Mg、Al、Si、Ca、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Ag、In、Sn、Ce、Sm、Pb、La、Hf、Sc、Gd及Ta构成的组中的至少一种金属元素。
11.根据权利要求1至3中任意一项所述的金属氧化物膜的制造方法,其特征是,所述第二金属氧化物膜形成用溶液中所用的金属源含有选自由Mg、Al、Si、Ca、Ti、V、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Y、Zr、Ag、In、Sn、Ce、Sm、Pb、La、Hf、Sc、Gd、Ta、Cr、Ga、Sr、Nb、Mo、Pd、Sb、Te、Ba及W构成的组中的至少一种金属元素。
12.根据权利要求1至3任意一项所述的金属氧化物膜的制造方法,其特征是,所述第一金属氧化物膜形成用溶液及所述第二金属氧化物膜形成用溶液的至少一方含有选自由氯酸离子、高氯酸离子、亚氯酸离子、次氯酸离子、溴酸离子、次溴酸离子、硝酸离子及亚硝酸离子构成的组中的至少一种离子种。
13.根据权利要求1至3中任意一项所述的金属氧化物膜的制造方法,其特征是,所述第二金属氧化物膜形成用溶液还含有陶瓷微粒.
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