[发明专利]表面区域进行改性的方法和电子器件

权利要求书

1.一种对半导体衬底中的沟槽的表面区域进行改性的方法，包括步骤：

将第一层涂到所述衬底的表面上和所述沟槽中；

在刻蚀处理中从所述衬底的表面上去除所述第一层；以及

提供表面改性处理以只在所述沟槽中进行表面改性。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，无需掩模地实现所述刻蚀处理。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述刻蚀处理是干法刻蚀技术。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在应用所述沟槽和所述第一层之前，将所述衬底的一部分用保护层覆盖。

5.一种制造电子器件的方法，包括步骤：

根据权利要求1至4任一项所述，对沟槽中的表面区域进行改性，其中所述已改性表面是导电的；

将电介质材料沉积到沟槽中和所述衬底表面上；

将电极材料沉积所述电介质材料的顶部上；

使所述衬底表面上的电介质和电极材料形成图案，以提供与所述沟槽的已改性表面区域中限定的第一电极和所述沟槽中的所述电极材料中限定的第二电极的电连接。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述电介质是固态电解质，并且所述第一电极、所述电介质和所述第二电极的结构组成电池。

7.一种电子器件，包括半导体衬底，所述半导体衬底具有实质平坦的表面，并且具有沟槽，所述沟槽具有所述衬底表面中的孔径和带纹理的沟槽表面，所述衬底还具有与所述沟槽相邻的衬底区，在所述衬底区中和/或所述衬底区上限定了电子元件。

8.根据权利要求7所述的电子器件，其中，所述沟槽表面的纹理形状由半球状生长的半导体材料组成。

9.根据权利要求7所述的电子器件，其中，所述衬底区实质上无载荷子。

10.根据权利要求9所述的电子器件，其中，所述电子元件是电感器。

11.根据权利要求9所述的电子器件，其中，所述电子元件是半导体元件，并且所述衬底区作为所述半导体元件中的沟道或绝缘区。

12.一种组件，包括根据权利要求7至11任一项所述的电子器件和与其装配的半导体元件。