[发明专利]COF基板用层合体及其制造方法以及使用该COF基板用层合体形成的COF膜载带有效
| 申请号： | 200580041088.0 | 申请日： | 2005-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101076885A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 岸田克也;岛田彰;德田裕一;财部妙子 | 申请（专利权）人： | 新日铁化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H05K1/03 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cof 基板用层 合体 及其 制造 方法 以及 使用 形成 膜载带 | ||
【权利要求书】：
1.COF基板用层合体的制造方法，是在导体的一个面上形成了由绝缘性树脂形成的绝缘层的COF基板用层合体的制造方法，其特征在于:在具有至少10μm以上的厚度并且一个面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下的铜箔的该面上形成由聚酰亚胺树脂形成的聚酰亚胺层，对与该聚酰亚胺层不相接的铜箔的面进行化学抛光从而使该铜箔的厚度为1～8μm，同时使表面粗糙度Rz为1.0μm以下而形成导体。
2.权利要求1所述的COF基板用层合体的制造方法，其中化学抛光所用的抛光液是含有过氧化氢和硫酸为主剂的过氧化氢/硫酸系抛光液。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
