[发明专利]COF基板用层合体及其制造方法以及使用该COF基板用层合体形成的COF膜载带

说明书

技术领域

本发明涉及作为COF用途使用的柔性印刷线路板用的层合体及其制造方法。

背景技术

在载带上安装驱动器IC的TAB方式(带自动接合)在使用液晶显示元件(LCD)的电子产业中已广泛使用。

此外，近期作为以更小空间进行更高密度安装的安装方法，开发出了将裸IC芯片直接搭载在膜载带上COF(chip-on-film)。

用于该COF的柔性印刷线路板(FPC)，由于不具有TAB方式中使用的器件孔，因此在测定芯片安装时的相对位置时，需要透过绝缘层来识别驱动器IC芯片的配线。特别是在该COF中使用的柔性印刷线路板(FPC)中，配线的间距不断变窄，必须可以进行微细加工。

作为用于这样的COF用的FPC的层合体，有在聚酰亚胺膜等绝缘膜上溅射镍等密合强化层后，实施镀铜的层合体。对于这样的镀铜层合体，由于聚酰亚胺膜是比较透明的，IC搭载时的位置配合容易，但存在导体和绝缘层之间的粘接力弱，而且耐电迁移性差的问题。

作为解决上述课题的层合体，有采用涂布法在铜箔上层合聚酰亚胺膜的流延型和介由热塑性树脂、热固性树脂等将绝缘膜热压接在铜箔上的热压接型的层合体等。

但是，对于流延型的层合体、热压接型的层合体，虽然在某种程度上消除了导体和绝缘层的粘接力问题，但对于例如采用蚀刻将铜箔除去的区域，铜箔的粗糙度(表面粗糙度)转印到绝缘层侧，存在绝缘层的表面散射光，不能透过绝缘层识别铜图案的问题。

因此，特开2003-23046号公报中公开了具有将导体层和绝缘层层合的结构，该导体层的与绝缘层相接的面的表面粗糙度为0.1～1.8μm的层合体。但是，上述层合体虽然在某种程度上消除了透过绝缘层识别驱动器IC芯片的配线的问题，但是作为需要例如30μm间距以下的高密度基板材料未必能够满足。另一方面，特开2004-142183号公报中记载了与绝缘层相接的面的表面粗糙度为1.0μm以下、背面的表面粗糙度为2.0μm以下的层合体。但是，当与绝缘层不相接的面的表面粗糙度大时，形成抗蚀剂时产生厚度不均匀，在其后的配线电路的图案形成工序中难以使电路的直线性良好。此外，当导体的厚度厚时，也同样难确保电路的直线性，特别是难以加工30μm间距以下的微细加工。即，还没有绝缘层侧的粗糙度与抗蚀剂面侧的粗糙度适当、能够满足微细加工要求的层合体。

专利文献1:特开2003-23046号公报

专利文献2:特开2004-142183号公报

发明内容

因此，本发明的目的在于提供可以透过绝缘层来识别驱动器IC芯片的配线，同时导体与绝缘层之间的粘接力高，耐电子迁移性优异，可以进行例如30μm间距以下的微细加工的层合体及其制造方法。

为了解决上述问题，本发明者等进行了认真研究，结果发现:通过使形成层合体的导体为设定的厚度，同时使该导体的与绝缘层直接相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，并且使与绝缘层不相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，能够解决上述课题，从而完成了本发明。再者，表面粗糙度Rz表示“10点平均粗糙度”，按照JIS B0601进行测定。

因此，本发明涉及COF基板用层合体，是在由导电性金属箔形成的导体的一个面上形成了由绝缘性树脂形成的绝缘层的COF基板用层合体，其中导体的厚度为1～8μm，导体的与绝缘层相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，并且导体的与绝缘层不相接的面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下。

此外，本发明涉及COF基板用层合体的制造方法，是在导体的一个面上形成了由绝缘性树脂形成的绝缘层的COF基板用层合体的制造方法，其中在具有至少10μm以上的厚度并且一个面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下的导电性金属箔的该面上形成绝缘层，对与该绝缘层不相接的导电性金属箔的面进行化学抛光从而使该导电性金属箔的厚度为1～8μm，同时使表面粗糙度Rz为1.0μm以下而形成导体。

本发明中，通过使与绝缘层直接相接的导体的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，即使与绝缘层层合时将导体的粗糙度转印到绝缘层侧，也可以通过绝缘层来识别驱动器IC芯片的配线。此外，通过使不与绝缘层直接相接的导体的表面粗糙度Rz为1.0μm以下，在需要高密度配线的情况下也可以进行例如30μm间距以下的加工。再者，与绝缘层直接相接的导体的表面粗糙度Rz，为了确保与绝缘层的密合性，Rz的下限为0.3μm，不与绝缘层直接相接的导体的表面粗糙度Rz，为了确保与后面层合的绝缘性保护膜的密合性，Rz的下限为0.1μm。