[发明专利]具有选择性气体供应的选择性外延工艺

权利要求书

1.一种在基板表面上选择性且外延形成含硅材料的方法，包含：

将具有单晶表面和介电表面的基板安置于工艺反应室内；

执行一沉积顺序至少两次，该沉积顺序包括：

在该单晶表面上沉积外延材料并同时在该介电表面上沉积多晶材料，其中该沉积气体至少包含一硅源、一硼掺杂源以及一碳源；以及其后

使用一蚀刻气体蚀刻该多晶材料，其中该沉积顺序的净效果本质上包括选择性地生长在该单晶表面上的该外延材料，其中所述蚀刻气体包含一种选自包含氯气、BCl₃、CCl₄、ClF₃及其组合物的组中的材料，该蚀刻气体还包括氮气，其中碳浓度在该外延材料中是变化的。

2.如权利要求1所述的方法，其中上述的沉积顺序重复执行直到达到含硅材料的预定厚度。

3.如权利要求1所述的方法，其中上述的多晶材料在每一个顺序中沉积至原子层的厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其中上述的沉积顺序进一步包括：

在沉积后进行清洁。

5.如权利要求1所述的方法，其中上述的沉积顺序是在范围从500℃至750℃内的温度下执行。

6.如权利要求1所述的方法，其中上述的蚀刻气体进一步包含一种选自氮气、氩气、氦气及其组合物的气体。

7.如权利要求6所述的方法，其中上述的沉积顺序进一步包含：

在沉积期间提供一种掺杂化合物。

8.如权利要求7所述的方法，其中上述的掺杂化合物包含一种选自硼、砷、磷、铝、镓、锗、碳及其组合物的元素源。

9.如权利要求1所述的方法，其中上述的外延材料包含选自由硅－锗、硅－碳、硅－锗－碳及其组合物的组成的群组中的一材料。

10.如权利要求9所述的方法，其中上述的外延材料包含硅－碳。

11.如权利要求1所述的方法，其中上述的沉积顺序进一步包括：

在蚀刻后进行清洁。

12.一种在基板表面上选择性且外延形成含硅－碳材料的方法，包含：

将具有单晶表面和至少一介电表面的基板安置于工艺反应室内；

执行一沉积顺序至少两次，该沉积顺序包括：

在该单晶表面上沉积外延材料并同时在该介电表面上沉积多晶材料；以及其后

使用蚀刻气体蚀刻该多晶材料，其中该沉积顺序的净效果本质上包括选择性地生长在该单晶表面上的该外延材料，其中碳浓度在该外延材料中是变化的，其中所述蚀刻气体包含一种选自包含氯气、BCl₃、CCl₄、ClF₃及其组合物的组中的材料，该蚀刻气体还包括氮气。

13.如权利要求12所述的方法，其中上述的沉积顺序是重复进行执行直到达到含硅－碳材料的预定厚度。

14.如权利要求12所述的方法，其中上述的多晶材料在每一个顺序中沉积至原子层的厚度。

15.如权利要求12所述的方法，其中上述的沉积顺序被控制在500℃至750℃的温度范围内。