[发明专利]多重掩模和制造不同掺杂区域的方法有效
申请号: | 200580041475.4 | 申请日: | 2005-11-03 |
公开(公告)号: | CN101069269A | 公开(公告)日: | 2007-11-07 |
发明(设计)人: | 马丁·克奈普;雷纳·米尼克斯霍弗;马丁·施雷姆斯 | 申请(专利权)人: | 奥地利微系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/266 | 分类号: | H01L21/266 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾晋伟;刘继富 |
地址: | 奥地利翁特*** | 国省代码: | 奥地利;AT |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 多重 制造 不同 掺杂 区域 方法 | ||
1.一种用于在衬底内制造不同掺杂的掩模:
所述掩模由负载在所述衬底上的具有均匀高度h的掩模层形成,
包含包括多个第一掩模开口的第一掩模区域,所述第一掩模开口 形成为细长形状并定向平行于第一取向,
包含包括多个第二掩模开口的第二掩模区域,所述第二掩模开口 形成为细长形状并定向平行于第二取向,
其中所述第一和第二取向形成0°<β≤90°的β角。
2.如权利要求1的掩模,其中所述第一和所述第二掩模开口在所有 情况下具有相同的宽度b。
3.如权利要求1或2的掩模,还包含:
包括第三掩模开口的第三掩模区域,所述第三掩模开口形成为细 长形状并平行于第三取向,
其中所述第一和第三取向以及所述第二和第三取向在所有情况下 形成不等于0°的角。
4.如权利要求3的掩模,其中所述第一、第二和第三掩模开口的取 向在所有情况下彼此相对形成60°的角。
5.如权利要求1或2的掩模,其形成为由氧化物或氮化物组成的硬 掩模。
6.如权利要求1或2的掩模,其中对于至少一个掩模开口,满足所 述掩模开口的宽度b小于所述掩模层的高度h。
7.如权利要求2的掩模,其中每一掩模区域包括多个相同的掩模开 口,所述相同的掩模开口在所有情况下以相同距离彼此平行排列。
8.如权利要求1或2的掩模,包括第一和第二掩模区域,所述第一 和第二掩模区域的掩模开口彼此相对形成90°角。
9.如权利要求1或2的掩模,其中所述掩模开口具有细长矩形的形式。
10.如权利要求7的掩模,其中掩模区域内所述掩模开口的宽度b和 掩模区域内所述掩模开口之间的距离a是相等的。
11.如权利要求7的掩模,其中所述第一掩模区域的掩模开口的宽度b 和/或所述第一掩模区域的掩模开口之间的距离a不同于所述第二掩模 区域的掩模开口。
12.如权利要求1或2的掩模,
其中对于给定的最小注入角αmin设计所述掩模,
其中所述β角形成在所述第一和第二掩模区域的所述掩模开口的 取向之间,其中满足以下条件:h tanα≥bn/cosβ,其中bn为第二掩模 开口的最小宽度,
结果,在注入角α≥αmin的注入情况下,所述第一掩模区域设计为 最小遮蔽,而所述第二掩模区域设计为被所述掩模完全遮蔽。
13.一种用于制造衬底(S)内的不同掺杂区域(DG)的方法,
其中通过掩模层的沉积和图案化而在衬底上制造掩模(DM),
其中所述掩模具有包括第一掩模开口的第一掩模区域以及包括第 二掩模开口的第二掩模区域,所述第一掩模开口形成为细长形状并定 向平行于第一取向,所述第二掩模开口形成为细长形状并定向平行于 第二取向,
其中所述第一和第二取向形成β角,在此0°<β≤90°,
其中第一掺杂剂的第一注入以相对于衬底(S)表面法线测量的注 入角α实施,在此0°<α<90°,其中所述第一掩模开口定向平行于所 述注入方向在所述衬底平面上的投影,
其中所述衬底旋转β角,
其中第二不同掺杂剂的第二注入以相对于所述衬底(S)表面法线 测量的注入角α′实施,在此0°<α′<90°。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥地利微系统股份有限公司,未经奥地利微系统股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200580041475.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:采用燃气机热泵的双级耦合水源热泵空调系统
- 下一篇:一种工业废气回收液化装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造