[发明专利]高纯多面体低聚硅倍半氧烷单体的制备方法无效
| 申请号： | 200580042046.9 | 申请日： | 2005-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101072811A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | J·J·施瓦博;安以中;S·马里克;B·B·德 | 申请（专利权）人： | 杂混复合塑料公司 |
| 主分类号： | C08G77/08 | 分类号： | C08G77/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈昕 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高纯 多面体 低聚硅倍半氧烷 单体 制备 方法 | ||
1.制备POSS单体的方法，包括使POSS硅烷醇与硅烷偶联剂在溶剂和超强碱存在下反应。
2.权利要求1的方法，其中使含有多种POSS硅烷醇的混合物反应。
3.权利要求1的方法，其中使用多种超强碱。
4.权利要求1的方法，其中使用多种溶剂。
5.权利要求1的方法，采用连续硅基化反应法，以超强碱作为多相催化剂或辅助试剂(coreagent)。
6.权利要求1的方法，其中POSS单体选自[(R1SiO1.5)7(HOSiO1.5)1]Σ8、[(R1SiO1.5)6(R1HOSiO1)2]Σ8和[(R1SiO1.5)4(R1HOSiO1)3]Σ7。
7.权利要求1的方法，其中硅烷偶联剂选自R2R3R4SiX、R2R3SiX2和R2SiX3。
8.权利要求1的方法，其中超强碱是膦腈。
9.权利要求8的方法，其中膦腈选自P1型、P2型、P3型和P4型。
10.权利要求8的方法，采用连续硅基化反应法，以超强碱作为多相催化剂或辅助试剂。
11.权利要求8的方法，其中硅烷偶联剂选自R2R3R4SiX、R2R3SiX2和R2SiX3。
12.权利要求8的方法，其中POSS单体选自[(R1SiO1.5)7(HOSiO1.5)1]Σ8、[(R1SiO1.5)6(R1HOSiO1)2]Σ8和[(R1SiO1.5)4(R1HOSiO1)3]Σ7。
13.权利要求11的方法，其中POSS单体选自[(R1SiO1.5)7(HOSiO1.5)1]Σ8、[(R1SiO1.5)6(R1HOSiO1)2]Σ8和[(R1SiO1.5)4(R1HOSiO1)3]Σ7。
14.权利要求9的方法，其中硅烷偶联剂选自R2R3R4SiX、R2R3SiX2和R2SiX3。
15.权利要求9的方法，其中POSS单体选自[(R1SiO1.5)7(HOSiO1.5)1]Σ8、[(R1SiO1.5)6(R1HOSiO1)2]Σ8和[(R1SiO1.5)4(R1HOSiO1)3]Σ7。权利要求14的方法，其中POSS单体选自[(R1SiO1.5)7(HOSiO1.5)1]Σ8、[(R1SiO1.5)6(R1HOSiO1)2]Σ8和[(R1SiO1.5)4(R1HOSiO1)3]Σ7。
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