[发明专利]电子装置及其制造方法

权利要求书

1.电子装置，其特征在于，在基材上设有含有聚噻吩类导电性高分子及自由基聚合引发剂的透明导电膜；

所述透明导电膜具有第1区域，以及与所述第1区域相邻且电阻值比第1区域高的第2区域，

所述第2区域的电阻值为第1区域的电阻值的10⁴倍以上。

2.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述第1区域是构成回路的配线部。

3.如权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述自由基聚合引发剂的添加量为0.1质量％以上10质量％以下。

4.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述第1区域是构成回路的配线部，

所述自由基聚合引发剂是从偶氮化合物、有机过氧化物、或无机过氧化物中选择的一个，

所述自由基聚合引发剂的添加量为0.5质量％以上10质量％以下。

5.如权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述自由基聚合引发剂是从偶氮酰胺类化合物、偶氮二异丁腈、重氮氨基苯、过氧化苯甲酰、过氧化二碳酸二异丙酯、过硫酸盐、或高氯酸盐中选择的一个。

6.透明导电回路基板，其特征在于，在基材上设有含有聚噻吩类导电性高分子及自由基聚合引发剂的透明导电膜；

所述透明导电膜具有第1区域，以及与所述第1区域相邻且电阻值比第1区域高的第2区域，所述第2区域的电阻值为第1区域的电阻值的10⁴倍以上，所述第1区域是构成回路的配线部。

7.如权利要求6所述的透明导电回路基板，其特征在于，所述自由基聚合引发剂的添加量为0.1质量％以上10质量％以下。

8.电子装置的制造方法，所述电子装置在基材上设有含有聚噻吩类导电性高分子及自由基聚合引发剂的透明导电膜，所述透明导电膜具有第1区域及与所述第1区域相邻且电阻值比第1区域高的第2区域，所述第2区域的电阻值为第1区域的电阻值的10⁴倍以上，该方法的特征在于：

包括在所述基材上形成含有所述聚噻吩类导电性高分子及所述自由基聚合引发剂的所述透明导电膜的成膜工序，以及

对所述透明导电膜的一部分照射紫外线，将照射部分作为所述第2区域，将非照射部分作为第1区域的紫外线照射工序。

9.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在所述紫外线照射工序之前，设有干燥硬化所述透明导电膜的硬化工序。

10.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述自由基聚合引发剂的添加量为0.1质量％以上10质量％以下，

在所述紫外线照射工序中，所述紫外线是含有在所述聚噻吩类导电性高分子的吸收图谱中吸光度相对于背景吸收为2.5倍以上吸收所示的波长的光线。

11.如权利要求10所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在所述紫外线照射工序之前，设有干燥硬化所述透明导电膜的硬化工序，

所述自由基聚合引发剂是从偶氮化合物、有机过氧化物、或无机过氧化物中选择的一个.

12.如权利要求8所述的电子装置的制造方法，其特征在于，所述自由基聚合引发剂的添加量为0.1质量％以上10质量％以下。

13.如权利要求12所述的电子装置的制造方法，其特征在于，在所述紫外线照射工序之前，设有干燥硬化所述透明导电膜的硬化工序，

所述自由基聚合引发剂是从偶氮化合物、有机过氧化物、或无机过氧化物中选择的一个，

所述自由基聚合引发剂的添加量为0.5质量％以上10质量％以下。