[发明专利]利用照射的器件图案化无效
申请号: | 200580044619.1 | 申请日: | 2005-12-29 |
公开(公告)号: | CN101438430A | 公开(公告)日: | 2009-05-20 |
发明(设计)人: | S·普拉卡什;N·特罗昂 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01L51/00 | 分类号: | H01L51/00;H01L51/56;G03F7/20 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 照射 器件 图案 | ||
1.一种在一层有机电子器件中形成图案的方法,包括:
选择性地照射所述层的一部分。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述层不是活性层。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述层中未被照射的部分仍保持 导电,从而形成由所述缓冲层的导电和不导电部分形成的图案。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述层的所述部分用紫外光照射。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于,还包括将掩模应用于所述层以阻 挡紫外光到达所述层中期望导电的部分。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括:
将聚合物层沉积到所述层上;以及
通过掩模进行阴极沉积,所述掩模围绕期望导电的至少一个特征部。
7.如权利要求6所述的方法,其特征在于,还包括将触点和引线沉积到所述 聚合物层上。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述气氛包括空气。
9.一种在有机电子器件中形成图案的系统,包括:
一层所述有机电子器件;以及
用于选择性照射所述层的一部分的光源,所述选择性照射的部分在照射后变 得不导电。
10.如权利要求9所述的系统,其特征在于,所述光源形成由所述层的导电 部分和不导电部分形成的图案。
11.如权利要求9所述的系统,其特征在于,所述光源是紫外光源。
12.如权利要求11所述的系统,其特征在于,所述紫外光源是激光器。
13.如权利要求11所述的系统,其特征在于,所述紫外光源是紫外光灯泡。
14.如权利要求9所述的系统,其特征在于,还包括用于阻挡所述照射到达 所述层中期望发光的部分的掩模。
15.一种有机电子器件,包括:
缓冲层,所述缓冲层具有导电部分和不导电部分,且所述缓冲层的不导电部 分经过紫外光照射。
16.如权利要求15所述的器件,其特征在于,一层聚合物层被沉积到所述缓 冲层上。
17.如权利要求15所述的器件,其特征在于,所述缓冲层是(聚(3,4-亚乙基二 氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸盐))。
18.一种包括如权利要求15所述的有机电子器件的组合件。
19.一种包括如权利要求15所述的有机电子器件的具有活性层的有机电子器 件。
20.一种用于制造包括如权利要求15所述的有机电子器件的有机电子器件的 制品。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择