[发明专利]硅晶片的研磨方法及制造方法及圆盘状工作件的研磨装置及硅晶片

权利要求书

1.一种硅晶片的研磨方法，其是用以研磨在背面侧形成有氧化膜的硅晶片的方法，其中，至少在去除前述硅晶片斜角部的氧化膜的同时研磨该晶片的背面外周部的氧化膜，该研磨以使氧化膜的厚度从该晶片背面的最外周部2毫米以上的内侧起朝向外侧变薄的方式进行。

2.如权利要求1所述的硅晶片的研磨方法，其中，该晶片背面的最外周部的氧化膜，研磨50纳米以上。

3.如权利要求1所述的硅晶片的研磨方法，其中，同时进行前述晶片的斜角部的氧化膜去除与背面外周部的氧化膜研磨。

4.如权利要求2所述的硅晶片的研磨方法，其中，同时进行前述晶片的斜角部的氧化膜去除与背面外周部的氧化膜研磨。

5.如权利要求1～4中任一项所述的硅晶片的研磨方法，其中，进一步具有去除前述晶片的斜角部的表面侧斜角面及外周面的氧化膜的步骤。

6.一种硅晶片的制造方法，其特征为，通过如权利要求1～4中任一项所述的研磨方法，进行前述斜角部的氧化膜去除及背面外周部的氧化膜研磨后，在前述晶片表面进行磊晶生长。

7.一种硅晶片的制造方法，其特征为，通过如权利要求5所述的研磨方法，进行前述斜角部的氧化膜去除及背面外周部的氧化膜研磨后，在前述晶片表面进行磊晶生长。

8.一种圆盘状工作件的研磨装置，具备：旋转体，具有从外侧至内侧以同心圆状且曲线状或是直线状的方式斜倾的面，在该面安装有研磨布；驱动构件，用以驱动该旋转体；以及工作件保持具，用以保持圆盘状工作件，使该工作件的外周部推压前述研磨布；其中前述研磨布，是由以下构成：斜角研磨部，用以研磨前述工作件的斜角部之面；以及背面研磨部，用以研磨前述工作件的背面；前述研磨布被安装在前述旋转体上，使在前述斜角研磨部和前述工作件斜角部的接触点的切线平面与旋转轴所构成的角度(α)为在40度至70度的范围，且使前述背面研磨部和前述工作件背面的接触面与旋转轴所构成的角度(β)为在90度至110度的范围。

9.如权利要求8所述的圆盘状工作件的研磨装置，其中，前述圆盘状工作件为硅晶片。

10.一种硅晶片，其是在背部形成有氧化膜的硅晶片，其中，至少从硅晶片的背面最外周部到至少2毫米内侧的背面外周部，前述氧化膜的厚度从内侧朝向外侧变薄。

11.如权利要求10所述的硅晶片，其中，该晶片背面的最外周部的氧化膜厚度，与该晶片背面的中央部的氧化膜的厚度比较时，薄50纳米以上。

12.如权利要求10或11所述的硅晶片，其是在该晶片表面形成有磊晶层的物质。