[发明专利]硅晶片的研磨方法及制造方法及圆盘状工作件的研磨装置及硅晶片

说明书

技术领域

本发明是有关于一种硅晶片的研磨方法及制造方法及圆盘状工作件的研磨装置、以及硅晶片，详细地说，是有关于一种在背面及斜角部形成有氧化膜的硅晶片的研磨方法及制造方法、以及适合该研磨方法的圆盘状工作件的研磨装置及在背面形成有氧化膜的硅晶片。

背景技术

通过磊晶生长在半导体硅晶片的表面形成薄膜时，为了防止在硅晶片内的杂质导入磊晶层，亦即自掺杂(auto-doping)，在硅晶片的背面，亦即生长磊晶层表面的相反侧的面，通过CVD(化学气相沉积；Chemical VaporDeposition)等形成例如厚度数百纳米左右的氧化膜。

图6是在背面形成有氧化膜的硅晶片的外周部的部分剖面概要图。为了防止外周部发生残缺的目的，该硅晶片41通过斜角加工机形成由背侧面斜角面42a、表面侧面斜角面42b、以及外周面42c所构成的斜角部42，在晶片背面43及斜角部42形成有氧化膜40。

如此，不仅是形成于硅晶片的背面，而且亦形成在其外周的斜角部。但是，在此种晶片上生长磊晶层时，在斜角部的氧化膜上会产生被称为粒状物(nodule)的多晶隆起状异常生长，在晶片处理时，会有因该粒状物损坏分离而使磊晶生长层受伤的情形。因此，对此种晶片，通常是在去除晶片斜角部的氧化膜后才进行磊晶生长。

去除晶片斜角部的氧化膜的方法，例如日本专利特开平8-85051号公报的记载，公开一种去除氧化膜的方法(现有技术1)，是通过在旋转的圆筒状毂部推压研磨形成有氧化膜的斜角部来去除氧化膜。又，特开2000-317788号公报的记载，公开一种方法(现有技术2)，是通过在具有凹面形状的研磨面的研磨具，推压晶片来去除氧化膜。以下，使用附图来说明现有技术。

图3是现有技术1的研磨装置的概要图。该研磨装置10是使晶片13的斜角部接触旋转的圆筒状毂部11，边供给研磨剂边进行研磨。此时，通过晶片保持具12保持晶片13，通过设置有晶片保持具12的工作台14使晶片13倾斜，以晶片斜角部的倾斜面(斜角面)与圆筒状毂部11的表面平行的方式进行研磨。

又，图4是现有技术2的研磨装置的概要图。该研磨装置20是在从外侧至内侧以同心圆状且曲线状或是直线状的方式斜倾的面，具备有安装有研磨布21的旋转体22。该旋转体22是通过马达23通过驱动轴23a进行旋转驱动。而且，晶片25是通过保持具24保持，研磨布21推压晶片斜角部，进行研磨斜角部。

现有技术2的情况，因为研磨布的研磨面，是同时接触晶片外周部的被研磨面的全面，与现有技术1通过圆筒状毂部研磨比较时，可以得到研磨速度变为非常快速的效果。又，特开2000-317788号公报公开一种镜面研磨方法，可以通过变更研磨剂来去除氧化膜。

又，以往去除晶片斜角部的氧化膜的方法，亦有一种方法(现有技术3)，如图5的说明图所示，是使间隔物31夹在中间而堆积复数晶片32，将此浸渍在氢氟酸溶液33中一定时间，来溶解去除斜角部的氧化膜。此时，因为被间隔物31夹住的部分不会接触到氢氟酸，所以若使用指定的直径的间隔物来夹住晶片32时，可以保护晶片32的背面氧化膜，只去除斜角部的氧化膜。

但是，通过前述现有技术研磨斜角部而进行去除氧化膜而成的晶片，通过晶片搬运用晶盒或边缘操作处理搬运机械人进行搬运等操作处理时，会产生在晶片表面有粒子附着的问题。又，通过前述将晶片浸渍在氢氟酸中的方法去除斜角部的氧化膜而得到晶片，亦会产生此问题。

发明内容

鉴于上述问题，本发明的目的，是提供一种硅晶片的研磨方法及制造方法、以及为了适合实施该方法的圆盘状工作件的研磨装置、及即使背面形成有氧化膜在操作处理后粒子亦不会有因自动掺杂而使电阻率下降的硅晶片，该硅晶片的研磨方法及制造方法可以防止操作处理后粒子附着在晶片表面上，亦不会有因自动掺杂而使电阻率下降，而且，不会使生产力降低。

为了达成上述目的，本发明提供一种硅晶片的研磨方法，是用以研磨在背面侧形成有氧化膜的硅晶片的方法，其中，至少在去除前述硅晶片斜角部的氧化膜的同时研磨该晶片的背面外周部的氧化膜，该研磨以使氧化膜的厚度从该晶片背面的最外周部2毫米以上的内侧起朝向外侧变薄的方式进行。