[发明专利]在连续在线阴影掩模沉积工序中利用选择性等离子蚀刻形成过孔的系统及方法

权利要求书

1.一种阴影掩模气相沉积方法，包括：

(a)在基板上气相沉积第一导体层；

(b)在所述第一导体层上气相沉积绝缘层；

(c)经由阴影掩模等离子蚀刻所述绝缘层，以便在其中限定过孔，所述第一导体层的至少一部分透过所述过孔露出；以及

(d)至少在所述绝缘层上气相沉积第二导体层，其中，所述过孔中的导电体将所述第一导体层和所述第二导体层电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述导电体通过在所述过孔中沉积所述第二导体层而形成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

步骤(c)包括：经由阴影掩模中的孔而等离子蚀刻所述绝缘层，以便限定所述绝缘层中的过孔。

4.一种阴影掩模气相沉积方法，包括：

(a)在基板上气相沉积第一导体层；

(b)在所述第一导体层上气相沉积绝缘层；

(c)以一定方式至少在所述绝缘层上气相沉积第二导体层，以便限定所述第二导体层中的开口；

(d)经由所述第二导体层中的开口而等离子蚀刻所述绝缘层，以便限定所述绝缘层中的过孔，所述第一导体层的至少一部分透过所述过孔露出；以及

(e)经由阴影掩模中的孔以及所述第二导体层中的开口在所述过孔中气相沉积导电填充剂，于是所述导电填充剂形成将所述第一导体层和所述第二导体层电连接的导电体。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，步骤(d)包括：

气相沉积所述第二导体层的第一部分；以及

气相沉积所述第二导体层的第二部分，从而使得所述第二导体层的第二部分与所述第二导体层的第一部分部分地重叠，所述第二导体层中的开口仅仅通过所述第二导体层的第一部分和第二部分的气相沉积而形成。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

各气相沉积步骤经由不同的阴影掩模来进行。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

在气相沉积各层之前，将所述基板平移到相对于相应阴影掩模的所需的位置。

8.一种阴影掩模气相沉积方法，包括：

(a)在基板上气相沉积第一导体；

(b)在所述第一导体上气相沉积绝缘体；

(c)至少在所述绝缘体上气相沉积第二导体；以及

(d)在步骤(c)之前经由阴影掩模等离子蚀刻所述绝缘体或在步骤(c)之后经由所述第二导体中的开口等离子蚀刻所述绝缘体，以便在其中限定过孔，所述第一导体的至少一部分透过所述过孔露出，其中，经由所述过孔在所述第一导体和所述第二导体之间建立电连接。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，

当在步骤(c)之前限定所述过孔时，步骤(c)包括：在所述过孔中气相沉积所述第二导体，从而建立所述第一导体和所述第二导体之间的电连接；并且

当在步骤(c)之后限定所述过孔时，所述方法还包括：经由在所述第二导体中限定的开口在所述过孔中气相沉积导电填充剂，所述开口仅仅通过步骤(c)中所述第二导体的气相沉积而限定于所述第二导体中，于是所述导电填充剂建立所述第一导体和所述第二导体之间的电连接。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，

当在步骤(c)之前限定所述过孔时，经由阴影掩模中的孔而等离子蚀刻所述绝缘体。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述第一导体和所述第二导体中至少之一由钼、铝、金、铜、镍和钛中的至少一种形成；并且

所述绝缘体由二氧化硅、氧化铝和五氧化二钽中的一种形成。

12.根据权利要求8所述的方法，还包括：

在各气相沉积步骤之前，将所述基板平移到适当位置中，以便接受相应的气相沉积。