[发明专利]光刻胶和刻蚀残留物的低压去除

权利要求书

1.一种现场灰化方法，包括：

将包含含氢气体的处理气体引入到等离子体处理室中；

在所述等离子体处理室中生成等离子体；

将衬底暴露于所述等离子体，所述衬底位于衬底夹持器的顶部；

通过向所述衬底夹持器施加第一偏置来执行第一灰化步骤；以及

通过向所述衬底夹持器施加第二偏置来执行第二灰化步骤，所述第二偏置大于所述第一偏置，其中所述第二灰化步骤期间所述处理室中的室压强小于20mTorr。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述含氢气体包括H₂、NH₃或其组合。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述处理气体还包括惰性气体。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述惰性气体包括稀有气体、N₂或其组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一偏置在0W和100W之间。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述第一偏置基本零。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述第二偏置在50W和1000W之间。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述第二灰化步骤还包括采用与所述第一灰化步骤不同的室压强、处理气体流率或所述压强和处理气体流率的组合中的至少一个。

9.如权利要求1所述的方法，其中所述第一灰化步骤还包括：

检测从所述等离子体发射的光；以及

根据所述发射的光确定所述第一灰化步骤的状态。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述发射的光的检测提供了用于建立结束点的手段。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述发射的光来源于激发物质，并且代表关于所述第一灰化步骤的状态的信息。

12.如权利要求9所述的方法，其中所述发射的光来源于CO、含氟物质或其组合中的至少一种。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述含氟物质是氟。

14.如权利要求1所述的方法，其中所述第二灰化步骤还包括：

检测从所述等离子体发射的光；以及

根据所述发射的光确定所述第二灰化步骤的状态。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述发射的光来源于激发物质，并且代表关于所述第二灰化步骤的状态的信息。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述发射的光来源于CO、含氟物质或其组合中的至少一种。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述含氟物质是氟。

18.如权利要求1所述的方法，还包括：

检测从所述等离子体发射的光；以及

根据所述发射的光确定所述第一和第二灰化步骤的状态。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述发射的光来源于激发物质，并且代表关于所述第一和第二灰化步骤的状态的信息。

20.如权利要求18所述的方法，其中所述发射的光来源于CO、含氟物质或其组合中的至少一种。

21.如权利要求20所述的方法，其中所述含氟物质是氟。

22.如权利要求1所述的方法，其中所述第二灰化步骤的长度在所述第一灰化步骤长度的50％和300％之间。

23.如权利要求1所述的方法，其中所述处理气体的流率在5sccm和1500sccm之间。

24.如权利要求1所述的方法，其中所述含氢气体的流率在5sccm和500sccm之间。

25.如权利要求2所述的方法，其中所述含氢气体的流率在5sccm和500sccm之间。

26.如权利要求1所述的方法，其中所述第一灰化步骤中处理气体的流率在5sccm和1500sccm之间。

27.如权利要求1所述的方法，其中所述第二灰化步骤中处理气体的流率在5sccm和1500sccm之间。