[发明专利]改进CMOS晶体管中的掺杂剂分布的系统和方法

权利要求书

1.形成半导体器件的方法，包括：

在半导体本体的外表面上形成栅叠层，所述栅叠层包括栅极导体；

在所述栅叠层的相对侧上形成第一和第二侧壁体；

在所述栅极导体的外表面上形成第一凹槽；以及

在形成所述第一凹槽后，将第一掺杂剂注入到所述栅极导体中，所述第一掺杂剂从限定所述第一凹槽的所述栅极导体的外表面向内扩散，所述第一掺杂剂向着所述栅叠层和所述半导体本体之间的界面扩散。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述第一凹槽包括执行刻蚀以去除所述栅叠层的栅极导体层的一部分。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述第一掺杂剂被注入到所述半导体本体中以形成第一源漏区；所述方法进一步包括：

在形成所述第一和第二侧壁体之前，在所述栅叠层的相对侧上形成第一和第二偏移隔离层；以及

将第二掺杂剂注入到所述半导体本体中以形成第二源漏区，所述第二源漏区在所述第一源漏区之前形成；以及

执行热处理以横向扩散所述第二掺杂剂，从而在所述第一和第二偏移隔离层下面向所述栅叠层延伸所述第二源漏区。

4.根据权利要求3所述的方法，进一步包括在所述半导体本体的区域中形成第二和第三凹槽，所述第二和第三凹槽中的每个凹槽基本与所述栅叠层的相对侧的一侧边对齐。

5.根据权利要求1-4任一项权利要求所述的方法，进一步包括在所述凹槽或者多个凹槽中形成硅锗。

6.半导体器件，其根据权利要求1-5任一项权利要求所述的方法制造。

7.半导体器件，包括：

栅叠层，其形成于半导体本体的外表面上，所述栅叠层包括限定第一凹槽的外表面，所述栅叠层限定了所述半导体本体中的沟道；

第一和第二侧壁体，其形成于所述栅叠层的相对侧上；

有源区，其形成于所述栅叠层中并且邻近所述栅叠层和所述半导体本体之间的界面，所述有源区包括第一掺杂剂，该第一掺杂剂从限定所述第一凹槽的外表面被向内扩散穿过所述栅叠层。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，进一步包括：

第一源漏区，其形成于所述半导体本体中，所述第一源漏区包括在所述沟道的相对侧上形成的第一和第二部分，所述第一和第二部分之间的距离由所述栅叠层的宽度确定；

第一和第二偏移隔离层，其形成于所述栅叠层的相对侧上，所述第一和第二偏移隔离层形成在所述第一和第二侧壁体与所述栅叠层的相对侧之间；以及

第二源漏区，其形成于所述半导体本体中，所述第二源漏区在所述第一和第二偏移隔离层下面朝所述栅叠层延伸。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，进一步包括第二和第三凹槽，其形成于形成所述第二源漏区的所述半导体本体的区域中，所述第二和第三凹槽中的每个凹槽基本与所述栅叠层的对边中的一个边对齐。

10.根据权利要求6-8任一项权利要求所述的半导体器件，进一步包括在所述凹槽或者多个凹槽中形成的硅锗层。