[发明专利]烧结用Sb-Te系合金粉末及其制造方法和烧结该粉末得到的烧结体溅射靶

说明书

技术领域

本发明涉及一种烧结用Sb-Te系合金粉末，特别是涉及适合制造用于形成由Ag-In-Sb-Te合金或Ge-Sb-Te合金构成的相变型记录层的Sb-Te系合金溅射靶的烧结用Sb-Te系合金粉末和烧结该粉末得到的烧结体溅射靶，以及烧结用Sb-Te系合金粉末的制造方法。

背景技术

近年来，作为相变型记录用材料，即作为利用相变而记录信息的介质，开始使用由Sb-Te系材料构成的薄膜。作为形成由该Sb-Te系合金材料构成的薄膜的方法，一般通过真空蒸镀法或溅射法等通常称为物理蒸镀法的方法来进行。特别是，基于操作性或被膜的稳定性的考虑，使用磁控管溅射法来形成的情况比较多。

通过溅射法的膜的形成，是通过使Ar离子等正离子向设置在阴极的靶物理碰撞，利用其碰撞能量使构成靶的材料放出，在相对的阳极一侧的基板上层压与靶材料基本上相同组成的膜而进行。

通过溅射法的被覆法具有通过调节处理时间或供电等能以稳定的成膜速度形成从埃单位的薄膜到几十微米厚的膜的特征。

当形成由相变型记录膜用Sb-Te系合金材料构成的膜时，特别成为问题的是，溅射时产生颗粒，或异常放电(微弧放电)，或发生结核(突起物)，导致形成簇状(变成块而附着)薄膜，或在溅射过程中发生靶的裂纹或破裂，以及在靶用烧结粉的制造工序中大量吸收氧气。

这种靶或溅射时的问题成为引起记录介质薄膜的品质下降的主要原因。

已知上述的问题受到烧结用粉末的粒径或靶的结构、性状的很大影响。但是以往在制造用于形成相变型记录层的Sb-Te系合金溅射靶时，因为不能制造合适的粉末，而且通过烧结得到的靶不具有充分的特性，所以不能避免溅射时的颗粒的发生、异常放电、结核的发生、靶的裂纹或破裂的发生，以及靶中含有大量的氧气。

作为以往的Ge-Sb-Te系溅射用靶的制造方法，公开了Ge-Sb-Te系溅射用靶的制造方法，该方法对于Ge-Te合金、Sb-Te合金，制造通过惰性气体喷雾法淬火的粉末，将具有Ge/Te＝1/1、Sb/Te＝0.5～2.0比例的合金均匀混合后进行加压烧结(例如参照专利文献1)。

并且，公开了Ge-Sb-Te系溅射靶的制造方法及通过喷雾法制造用于该方法的粉末的技术，该方法的特征在于，在含有Ge、Sb、Te的合金粉末中，将振实密度(相对密度)达到50％以上的粉末注入模具，在冷或温的条件下加压，通过对冷加压后的密度为95％以上的成型材在Ar或真空气氛中进行热处理而烧结，使得该烧结体的含氧量为700ppm以下(例如参照专利文献2)。

另外，还公开了Ge-Sb-Te系溅射靶材的制造方法，该方法对于含有Ge、Sb、Te的原料，制造通过惰性气体喷雾法淬火的粉末，使用内粒径为20μm以上且具有每单位重量的比表面积为300mm²/g以下的粒度分布的粉末，烧结在冷或温的条件下加压成型的成型体(例如参照专利文献3)。

除此之外，作为使用喷雾粉制造靶的技术，还有如下专利文献4、5、6。

但是，关于以上的专利文献，直接使用喷雾粉，没有得到靶的足够的强度，并且难以认为达到了靶组织的微细化及均质化。另外，被允许的氧含量也高，作为用于形成相变型记录层的Sb-Te系溅射靶不够理想。

专利文献1：日本特开2000-265262号公报

专利文献2：日本特开2001-98366号公报

专利文献3：日本特开2001-123266号公报

专利文献4：日本特开昭10-81962号公报

专利文献5：日本特开2001-123267号公报

专利文献6：日本特开2000-129316号公报

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种用于烧结靶的Sb-Te系合金粉末，特别是适合制造用于形成由Ag-In-Sb-Te合金或Ge-Sb-Te合金构成的相变型记录层的Sb-Te系合金溅射靶的烧结用Sb-Te系合金粉末和烧结该粉末得到的烧结体溅射靶，以及烧结用Sb-Te系合金粉末的制造方法，由此解决上述的各个问题，特别是，能有效抑制溅射时的颗粒的发生、异常放电、结核的发生，靶的裂纹或破裂的发生等，并且能减少靶中含有的氧气。

作为解决上述问题的技术手段，发现通过在粉末的性状以及靶的结构和特性上下功夫，能得到稳定且均质的相变型记录层。

本发明基于上述发现，提供：

1.一种烧结用Sb-Te系合金粉末和烧结该粉末得到的烧结体溅射靶，其特征在于，将Sb-Te系合金的气体喷雾粉进一步机械粉碎，得到的粉末的最大粒径在90μm以下。