[发明专利]显影废液的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种从半导体器件(LSI等)、液晶显示器(LCD)、印刷基板等电子部件等制造工序中的光致抗蚀剂显影步骤中回收的显影废液的处理方法。更详细的，涉及能将从上述显影步骤中回收的使用过的氢氧化四烷基铵水溶液(显影废液)长时间内稳定地精制处理，循环利用作显影液的显影废液的处理方法。

背景技术

在半导体器件、液晶显示器、印刷基板等电子部件的制造工序中，存在在晶片等基板上形成负型或正型的光致抗蚀剂的皮膜，通过掩模以规定的图案对光致抗蚀剂皮膜照射光线，接着用显影液溶解不需要的光致抗蚀剂的显影步骤。这样显影后，通过用蚀刻液蚀刻除去了光致抗蚀剂的部分的基板表面，在基板表面上形成例如规定的电路图案。作为上述显影液，在由碱溶解显影时大多使用氢氧化四烷基铵(氢氧化TAA)水溶液。

进行上述显影时，从该显影步骤排出的用过的氢氧化TAA水溶液(即显影废液)中通常溶解有光致抗蚀剂，近年来为了提高显影液的利用率，提出了采用将显影废液透过纳米过滤器等膜，用精密过滤器处理透过液，除去颗粒等固体分后，循环供给显影步骤的方法(参见专利文献1)。

另一方面，尝试通过精制处理使用过的氢氧化TAA水溶液即显影废液，进行循环利用(参见专利文献2)，例如作为这样的精制处理方法，公知的有中和处理显影废液，析出光致抗蚀剂，除去析出的光致抗蚀剂后，通过电解得到的TAA盐，再生用作显影液的氢氧化TAA水溶液的方法。

但是，上述专利文献1的方法在显影步骤中循环利用的用过的氢氧化TAA水溶液的纯度低，显影特性降低，因而不能适用于为了形成精密的微细布线层等的显影步骤等，只适用于没有精度要求的显影步骤。并且在适用于要求精度的显影步骤中时，显影废液不循环利用，只在没有精度要求的显影步骤中循环利用。

并且，进行专利文献2这样的精制处理时，即使通过电解等精制处理也不能恢复足够的纯度，或者在电解槽等精制装置中会产生问题，产生长期运转困难的问题。具体地，实际情况是，通过电解等进行精制处理时，电解槽的离子交换膜变差，被处理液即使用过的氢氧化TAA水溶液不能恢复足够的纯度，而且电解槽的电压会上升，长期稳定运转会有障碍。

专利文献1：特开2002-361249号公报

专利文献2：特许第3110513号公报

发明内容

因而，本发明的目的在于提供一种显影废液的处理方法，其可以长期稳定地精制处理由光致抗蚀剂显影步骤排出的包含氢氧化TAA的显影废液，并且结果即使对于要求高精度的光致抗蚀剂显影步骤也可以再生高纯度的氢氧化TAA水溶液而可以循环利用作为显影液。

本发明人等为了解决上述技术问题进行了刻苦研究。结果发现在显影步骤内重复循环使用后累积的微量金属杂质含量对利用电解的精制处理的影响很大，通过根据该金属杂质含量改变显影废液的处理方式，能长期稳定地再生高纯度的氢氧化TAA水溶液，本发明基于这一新发现得以完成。

根据本发明，提供一种显影废液的处理方法，其特征在于其是从使用氢氧化四烷基铵水溶液作为显影液的光致抗蚀剂显影步骤回收的显影废液的处理方法，其中测定上述显影废液中四烷基铵浓度和金属杂质的含量，在各金属杂质的含量基于四烷基铵均为50ppm以下时，精制处理上述显影废液，再生用作上述显影液的氢氧化四烷基铵水溶液，在至少一种金属杂质含量基于四烷基铵高于50ppm时，废弃处理上述显影废液，或者混合作为显影液未使用的氢氧化四烷基铵水溶液进行稀释，使显示大于50ppm值的金属杂质含量达到50ppm以下，精制处理稀释的显影废液，再生用作上述显影液的氢氧化四烷基铵水溶液。

本发明中，在处理包含从光致抗蚀剂显影步骤回收的氢氧化四烷基铵(氢氧化TAA)的显影废液中，设有测定各种金属杂质含量的步骤(检测步骤)，根据该检测步骤测定的单位TAA的金属杂质含量，改变显影废液的处理方式，在这一点上有显著的特征。

即，在单位TAA的金属杂质含量小，为规定值(50ppm)以下时，因为进行显影废液的精制处理，再生氢氧化TAA水溶液，能长期稳定地精制处理，并且再生的氢氧化TAA水溶液的纯度高，例如在要求高精度的光致抗蚀剂显影步骤中也可作为显影液循环利用。