[发明专利]发光元件、发光器件和电子器件有效
申请号: | 200580047423.8 | 申请日: | 2005-11-28 |
公开(公告)号: | CN101111948A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 中岛晴惠;野村亮二;安部宽子;濑尾哲史;坂田淳一郎;熊木大介;池田寿雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;C09K11/06 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘锴;韦欣华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 元件 器件 电子器件 | ||
1.一种发光元件,其包括:
第一电极;
第二电极;和
位于第一电极与第二电极之间的多个层,
其中该多个层包括包含发光物质的层,
其中该多个层的至少一个包含:
由通式(1)表示的咔唑衍生物;和
金属氧化物,并且
[化学式1]
其中在该式中,R1是指氢、卤素、氰基、碳数1-20的烷基、碳数1-20的卤代烷基、碳数1-20的烷氧基、取代或未取代的芳基,或者取代或未取代的杂环残基,并且R2-R5是相同或不同的材料并且是指氢、卤素、氰基、碳数1-20的烷基、碳数1-20的烷氧基、碳数1-20的酰基、碳数1-20的卤代烷基、碳数1-20的二烷基氨基、碳数1-20的二芳基氨基、取代或未取代的杂环残基,或咔唑基。
2.一种发光元件,其包括:
第一电极;
第二电极;和
位于第一电极与第二电极之间的多个层,
其中该多个层包括:
包含发光物质的第一层;和
用于产生空穴的第二层,
其中该第二层包含:
由通式(1)表示的咔唑衍生物;和
金属氧化物,并且
[化学式1]
其中在该式中,R1是指氢、卤素、氰基、碳数1-20的烷基、碳数1-20的卤代烷基、碳数1-20的烷氧基、取代或未取代的芳基,或者取代或未取代的杂环残基,并且R2-R5是相同或不同的材料并且是指氢、卤素、氰基、碳数1-20的烷基、碳数1-20的烷氧基、碳数1-20的酰基、碳数1-20的卤代烷基、碳数1-20的二烷基氨基、碳数1-20的二芳基氨基、取代或未取代的杂环残基,或咔唑基。
3.一种发光元件,其包括:
第一电极;
第二电极;和
位于第一电极与第二电极之间的多个层,
其中该多个层包括:
包含发光物质的第一层;和
用于传输空穴的第二层,
其中该第二层包含:
由通式(1)表示的咔唑衍生物;和
金属氧化物,并且
[化学式1]
其中在该式中,R1是指氢、卤素、氰基、碳数1-20的烷基、碳数1-20的卤代烷基、碳数1-20的烷氧基、取代或未取代的芳基,或者取代或未取代的杂环残基,并且R2-R5是相同或不同的材料并且是指氢、卤素、氰基、碳数1-20的烷基、碳数1-20的烷氧基、碳数1-20的酰基、碳数1-20的卤代烷基、碳数1-20的二烷基氨基、碳数1-20的二芳基氨基、取代或未取代的杂环残基,或咔唑基。
4.一种发光元件,其包括:
第一电极;
第二电极;和
位于第一电极与第二电极之间的多个层,
其中当第一电极的电势高于第二电极时进行发光,
其中该多个层包括:
包含发光物质的第一层;和
位于第一电极与第一层之间的第二层,其中该第二层包含:
由通式(1)表示的咔唑衍生物;和
金属氧化物,并且
[化学式1]
其中在该式中,R1是指氢、卤素、氰基、碳数1-20的烷基、碳数1-20的卤代烷基、碳数1-20的烷氧基、取代或未取代的芳基,或者取代或未取代的杂环残基,并且R2-R5是相同或不同的材料并且是指氢、卤素、氰基、碳数1-20的烷基、碳数1-20的烷氧基、碳数1-20的酰基、碳数1-20的卤代烷基、碳数1-20的二烷基氨基、碳数1-20的二芳基氨基、取代或未取代的杂环残基,或咔唑基。
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