[发明专利]发光元件、发光器件和电子器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种具有其中多个层介于一对电极之间的结构的发光元件，并且尤其涉及可用作该多个层的至少一个层的层结构。

背景技术

采用来自电致发光元件(发光元件)的发光的发光器件吸引了作为显示或照明用器件的注意。

作为用于发光器件中的发光元件，具有其中包含发光化合物的层介于一对电极之间的结构的发光元件是公知的。

在这类发光元件中，一个电极充当阳极，另一个电极充当阴极。从阳极侧注入的空穴和从阴极侧注入的电子重新组合形成激发态分子，并且当分子返回到基态时它们发光。

顺便提及，在当前迅速发展的各种信息处理器件中掺入的显示器件中尤其非常需要减少功率消耗。为了实现该需要，正尝试降低发光元件的驱动电压。考虑到商业化，增长发光元件的寿命以及降低驱动电压是重要的，并且为了实现它，正在开发发光元件。

例如，在参考文献1(日本专利特开No.H9-63771)中披露了一种通过使用具有高功函的金属氧化物例如氧化钼作为阳极而降低发光元件的驱动电压的技术。另外，借助于参考文献1中披露的技术，可以获得增长寿命的效果。

然而，由于氧化钼容易结晶，因此不能充分地减少发光元件由于结晶的故障数目。换句话说，由于氧化钼结晶形成凸起部分并且丧失了平整度，因此容易出现短路并且有容易造成发光元件故障的问题。

发明披露

本发明的一个目的是提供一种可以减少由于化合物氧化或结晶的故障的发光元件。另外，本发明的一个目的是提供具有低驱动电压并且能够将寿命增长为比常规发光元件更长的发光元件。

本发明的发光元件的一个特征是包括多个层，该多个层包括在第一与第二电极之间包含发光物质的层，其中上述多个层的至少一个层包含具有由以下通式(1)表示的咔唑骨架的化合物(咔唑衍生物)和相对于由以下通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质。

[化学式1]

(在该式中，R¹是指氢、卤素、氰基、碳数1-20的烷基、碳数1-20的卤代烷基、碳数1-20的烷氧基、取代或未取代的芳基，或者取代或未取代的杂环残基，并且R²-R⁵可以是相同或不同的材料并且是指氢、卤素、氰基、碳数1-20的烷基、碳数1-20的烷氧基、碳数1-20的酰基、碳数1-20的卤代烷基、碳数1-20的二烷基氨基、碳数1-20的二芳基氨基、取代或未取代的杂环残基，或咔唑基。)

通过采用以上结构，即由通式(1)表示的咔唑衍生物和相对于由通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质共存于一个层中，由通式(1)表示的咔唑衍生物中的电子被相对于由通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质捕获。换句话说，由通式(1)表示的咔唑衍生物被氧化并且产生空穴。

因此，“包含由通式(1)表示的咔唑衍生物和相对于由通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质的层”具有产生空穴的作用。

本发明的发光元件的一个特征是包括在第一与第二电极之间的多个层，其中该多个层包括含有发光物质的层和至少一个具有产生空穴作用的层，并且该具有产生空穴作用的层包含由通式(1)表示的咔唑衍生物和相对于由通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质。

由于可以在“包含由通式(1)表示的咔唑衍生物和相对于由通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质的层”中产生空穴，因此通过提供“包含由通式(1)表示的咔唑衍生物和相对于由通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质的层”，可以将具有高功函的导电薄膜或具有低功函的导电薄膜用作含于第一或第二电极中的材料。

换句话说，在常规发光元件中，将具有高功函的导电薄膜用作阳极以将空穴从阳极注入含有发光物质的层中。然而在本发明中，由于存在具有产生空穴作用的层，因此不必将具有高功函的导电薄膜用作阳极。

由于“包含由通式(1)表示的咔唑衍生物和相对于由通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质的层”具有产生空穴的作用，因此提高了载体密度。由于结果是提高了导电性，因此驱动电压极少改变，这取决于“包含由通式(1)表示的咔唑衍生物和相对于由通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质的层”的厚度。因此，通过改变“包含由通式(1)表示的咔唑衍生物和相对于由通式(1)表示的咔唑衍生物具有电子接受性能的物质的层”的厚度，可以容易地调节含有发光物质的层与第一或第二电极之间的距离。