[发明专利]D/A转换器和具有它的半导体集成电路

权利要求书

1.一种D/A转换器，把数字信号转换为模拟信号，并且具有多个电流源，其特征在于：

在所述多个电流源中包含第一电路和第二电路级联连接的电流源；

所述第一电路由m个第一尺寸的场效应晶体管以共栅-共阴方式连接而构成，且所述m个场效应晶体管的各栅极端子上共同施加有有第一偏压，其中m为2以上的整数；

所述第二电路由m个第二尺寸的场效应晶体管以共栅-共阴方式连接而构成，且所述m个场效应晶体管的各栅极端子上共同施加有有第二偏压。

2.根据权利要求1所述的D/A转换器，其特征在于：

所述第一尺寸的场效应晶体管和所述第二尺寸的场效应晶体管由MOS晶体管构成。

3.根据权利要求2所述的D/A转换器，其特征在于：

所述MOS晶体管是P沟道型MOS晶体管。

4.根据权利要求2所述的D/A转换器，其特征在于：

所述MOS晶体管是N沟道型MOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的D/A转换器，其特征在于：

具有1个以上的第一电路和第二电路级联连接的电流源；

所述电流源是输出电流值每次加权为1/2的二进制码电流源。

6.根据权利要求1所述的D/A转换器，其特征在于：

所述第一尺寸的场效应晶体管形成在第一晶体管矩阵的内部；

所述第二尺寸的场效应晶体管形成在第二晶体管矩阵的内部。

7.根据权利要求6所述的D/A转换器，其特征在于：

所述第一晶体管矩阵和所述第二晶体管矩阵分别具有配置在其外周的虚设晶体管。

8.根据权利要求6所述的D/A转换器，其特征在于：

形成在所述第一晶体管矩阵的内部的预定的晶体管的栅极端子和形成在所述第二晶体管矩阵的内部的预定的晶体管的漏极端子连接在一起，在该连接点生成的电压成为所述第一偏压。

9.根据权利要求6所述的D/A转换器，其特征在于：

在所述第一晶体管矩阵或所述第二晶体管矩阵中包含：

预定的2个P沟道型晶体管的源极端子彼此共有扩散层的图案；以及

一个P沟道型晶体管的漏极端子和另一个P沟道型晶体管的源极端子共有扩散层的图案。

10.一种D/A转换器，把数字信号转换为模拟信号，并且具有多个电流源，其特征在于：

在所述多个电流源中包含第一电路和第二电路级联连接的电流源；

所述第一电路由m个第一尺寸的场效应晶体管以共栅-共阴的方式连接而构成，且所述m个场效应晶体管的栅极端子上共同施加有有第一偏压，其中m为1以上的整数；

所述第二电路由n个第二尺寸的场效应晶体管以共栅-共阴的方式连接而构成，且所述n个场效应晶体管的各栅极端子上共同施加有有第二偏压，其中n≠m。

11.根据权利要求10所述的D/A转换器，其特征在于：

所述第一尺寸的场效应晶体管形成在第一晶体管矩阵的内部；

所述第二尺寸的场效应晶体管形成在第二晶体管矩阵的内部。

12.一种D/A转换器，把数字信号转换为模拟信号，并且具有多个电流源，其特征在于：

在所述多个电流源中包含第一电路和第二电路级联连接的电流源；

所述第一电路由m个第一尺寸的场效应晶体管以共有漏极端子的方式并联连接而构成，且所述m个场效应晶体管的各栅极端子上共同施加有有第一偏压，其中m为2以上的整数；

所述第二电路由1个第二尺寸的场效应晶体管构成，或者由n个第二尺寸的场效应晶体管以共栅-共阴的方式构成，且所述1个或n个场效应晶体管的各栅极端子上共同施加有第二偏压，其中n≥2。

13.根据权利要求12所述的D/A转换器，其特征在于：

所述第一尺寸的场效应晶体管形成在第一晶体管矩阵的内部；

所述第二尺寸的场效应晶体管形成在第二晶体管矩阵的内部。