[发明专利]D/A转换器和具有它的半导体集成电路有效

专利信息
申请号: 200580049836.X 申请日: 2005-10-31
公开(公告)号: CN101180799A 公开(公告)日: 2008-05-14
发明(设计)人: 生驹平治 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H03M1/74 分类号: H03M1/74
代理公司: 北京市金杜律师事务所 代理人: 季向冈
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 转换器 具有 半导体 集成电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及把数字信号转换为模拟信号的D/A转换器。尤其是涉及能够使D/A转换器的电流源矩阵部的电流标准离差减小和面积缩小的技术。

背景技术

近年来,为了有效利用CMOS比较廉价的优点,目前流行制造数字电路和模拟电路混装在1个芯片上的系统LSI。

在这样的LSI中,在与LSI外部的接口部使用把模拟信号转换为数字信号的A/D转换器、把数字信号转换为模拟信号的D/A转换器。

而且,在图像用途或通信用途等的LSI中,能进行高速动作的电流驱动型的D/A转换器(Current Steering D/A Converter)是必不可少的。

图13表示以往的电流驱动型D/A转换器100的电路结构。在图13中,例示出把8位的数字信号转换为模拟信号的情形。

对电流源IS1~IS2、IS3-1~IS3-63的第一偏压施加端子VB1、第二偏压施加端子VB2施加由偏压电路104产生的电压。从电流源IS1~IS2、IS3-1~IS3-63输出的电流通过由数字信号控制的差动开关SW1~SW2、SW3-1~SW3-63,流入模拟输出端子OUT或接地电源VSS。能从模拟输出端子OUT取得与数字输入信号对应的模拟输出电流。该模拟输出电流由输出负载电阻101转换为电压。

电流源IS1是1LSB(Least Significant Bit)的电流源,LS2是2LSB的电流源。IS3-1~IS3-63是4 LSB的电流源,整体上存在63个电流源。通过来自这些电流源的组合,能取得2的8次方=256等级的模拟输出。

偏压电路104是产生从参考电压发生电路103对参考电压输入端子VREF输入的电压、与连接在参考电阻连接端子IREF上的外部电阻102对应的2个偏压VB1、VB2的电路。

此外,译码电路105能够把对数字输入端子IN0~IN7输入的8位的数字信号译码,输出差动开关控制信号D1~D2、D3-1~D3-63。

这样的以往的电流驱动型D/A转换器的电流源,其电路结构如下。

图14是以往的电流源的第一电路结构例。在图14中,电流源111是如下的电路,即:L(沟道长度)=L1、W(沟道宽度)=W1的P沟道型晶体管Tr111的源极端子连接在电源VDD上,该P沟道型晶体管Tr111的栅极端子连接在第一偏压施加端子VB1上,该P沟道型晶体管Tr111的漏极端子连接在L=L2、W=W1的P沟道型晶体管Tr112的源极端子上,并且该晶体管Tr112的栅极端子连接在第二偏压施加端子VB2上,该晶体管Tr112的漏极端子连接在电流输出端子Iout111上,该电流源111能输出1LSB的电流值。

此外,电流源112是如下的电路,即:L=L1、W=W1的P沟道型晶体管Tr113的源极端子连接在电源VDD上,该晶体管Tr113的栅极端子连接在第一偏压施加端子VB1上,该晶体管Tr113的漏极端子连接在L=L2、W=W1的P沟道型晶体管Tr114的源极端子上,并且该晶体管Tr114的栅极端子连接在第二偏压施加端子VB2上,该晶体管Tr114的漏极端子连接在电流输出端子Iout112上,并且L=L1、W=W1的P沟道型晶体管Tr115的源极端子连接在电源VDD上,该晶体管Tr115的栅极端子连接在第一偏压施加端子VB1上,该晶体管Tr115的漏极端子连接在L=L2、W=W1的P沟道型晶体管Tr116的源极端子上,并且该晶体管Tr116的栅极端子连接在第二偏压施加端子VB2上,该晶体管Tr116的漏极端子连接在电流输出端子Iout112上,该电流源112能输出2LSB的电流值。

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