[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一MIS晶体管，其形成于半导体基板上，并具有第一栅极绝缘膜、形成于所述第一栅极绝缘膜上的第一栅电极、以及形成于所述半导体基板内的第一源极/漏极区域；

第二MIS晶体管，其形成于所述半导体基板上，并具有比所述第一栅极绝缘膜更厚的第二栅极绝缘膜、形成于所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极、形成于所述半导体基板内的第二源极/漏极区域、以及与所述第二源极/漏极区域连接并形成于所述半导体基板内的镇流电阻；

硅化金属阻止区绝缘膜，其隔着比所述第二栅极绝缘膜更薄的绝缘膜而形成于所述镇流电阻上；

硅化物膜，其形成于所述第一源极/漏极区域上以及所述第二源极/漏极区域上。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述绝缘膜的膜厚小于等于所述第一栅极绝缘膜的膜厚。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一源极/漏极区域具有与所述第一栅电极匹配而形成的第一杂质层，

所述第二源极/漏极区域具有与所述第二栅电极匹配而形成的第二杂质层，

所述镇流电阻由第三杂质层和第四杂质层构成，其中，该第三杂质层与所述第一杂质层同时形成，该第四杂质层与所述第二杂质层同时形成。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一杂质层为所述第一源极/漏极区域的LDD区域或者延伸区域；

所述第二杂质层为所述第二源极/漏极区域的LDD区域或者延伸区域。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具有形成于所述第一栅电极的侧壁部分的侧壁绝缘膜，

所述绝缘膜的膜厚与所述侧壁隔离层下的所述第一栅极绝缘膜的膜厚相同。

6.一种半导体装置的制造方法，在该半导体装置的半导体基板的第一区域形成有第一MIS晶体管，而且在所述半导体基板的第二区域形成有具有镇流电阻的第二MIS晶体管，其特征在于，包括：

形成第一绝缘膜的工序，对所述半导体基板进行热氧化，从而在所述第一区域以及所述第二区域上形成第一绝缘膜；

去除第一绝缘膜的工序，去除所述第一区域以及所述第二区域的所述镇流电阻形成区域的所述第一绝缘膜；

形成第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜的工序，对所述半导体基板进行热氧化，从而在所述第一区域以及所述镇流电阻形成区域形成第一栅极绝缘膜，在除了所述镇流电阻形成区域以外的所述第二区域形成第二栅极绝缘膜，其中，所述第二栅极绝缘膜是对所述第一绝缘膜进行补充氧化而形成的；

形成第一栅电极及第二栅电极的工序，在所述第一栅极绝缘膜上形成第一栅电极，在所述第二栅极绝缘膜上形成第二栅电极；

形成第一杂质层的工序，将所述第一栅电极作为掩模而向所述第一区域以及所述镇流电阻形成区域的所述半导体基板导入杂质，从而形成第一杂质层；

形成第二杂质层的工序，将所述第二栅电极作为掩模而向所述第二区域的所述半导体基板导入杂质，从而形成第二杂质层，而且

在所述镇流电阻形成区域形成具有所述第一杂质层以及所述第二杂质层的所述镇流电阻。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述形成第二杂质层的工序之后，包括：

形成第二绝缘膜的工序；

形成掩膜的工序，在所述镇流电阻形成区域的所述第二绝缘膜上形成保护膜；

形成侧壁绝缘膜及硅化金属阻止区绝缘膜的工序，将所述保护膜作为掩模而对所述第二绝缘膜进行蚀刻，从而在所述第一栅电极以及所述第二栅电极的侧壁部分形成侧壁绝缘膜，在所述镇流电阻形成区域形成硅化金属阻止区绝缘膜；

形成硅化物膜的工序，在没有被所述侧壁绝缘膜以及所述硅化金属阻止区绝缘膜覆盖的所述半导体基板上选择性地形成硅化物膜。

8.如权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述形成侧壁绝缘膜及硅化金属阻止区绝缘膜的工序之后，还包括如下工序：将所述第一栅电极、所述第二栅电极、所述侧壁绝缘膜以及所述硅化金属阻止区绝缘膜作为掩模而导入杂质，从而在所述第一区域的所述半导体基板内形成第三杂质层，在所述第二区域的所述半导体基板内形成第四杂质层。