[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，特别是，涉及一种包括由MIS晶体管构成的ESD保护器件的半导体装置及其制造方法，其中，该MIS晶体管具有镇流电阻。

背景技术

通常，半导体装置具有ESD保护器件，该ESD保护器件用于将微细的半导体元件从由于外部的静电放电(ESD：ElectroStatic Discharge)等引起的电压波动中保护。作为ESD保护器件，已知有使用兼有输出输入电路、且具有镇流电阻(Ballast)的MIS晶体管的结构。通常，在具有镇流电阻的MIS晶体管中，通过从MIS晶体管的源极/漏极区域起连续的杂质层形成镇流电阻。

作为通过杂质层实现镇流电阻的方法之一，已知有被称之为硅化金属阻止区(salicide block)的方法(例如，参照专利文献1)。该方法是指在进行所谓的自对准硅化物工艺(salicide process)时，事先对镇流电阻形成区域的杂质层进行屏蔽，以使防止镇流电阻形成区域被硅化的方法。由此，能够防止杂质层上的硅化，能够形成由杂质层构成的镇流电阻。

镇流电阻的电阻值是决定ESD保护器件的ESD耐压的重要的参数，当该值过于低时，当然会带来放电能力的降低或散热量的增加等，而该值过于高时，也会导致放电能力的降低或散热量的增加等，因此，有必要将该值设定为恰当的电阻值。

所以，到目前为止，通过在镇流电阻形成区域形成作为源极/漏极LDD区域的杂质层的基础上，在镇流电阻形成区域上进一步形成电阻值控制用的杂质层，由此形成具有所期望电阻值的镇流电阻。

专利文献1：JP特开2003-133433号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，在上述现有的半导体装置的制造方法中，由于用MIS晶体管的LDD区域用杂质层以及用镇流电阻的电阻值控制用的杂质层来形成镇流电阻，因此，有必要另外追加用于形成杂质层的一系列工序，导致制造工序的复杂化。因此，希望有一种无需带来制造工序的复杂化就能够将镇流电阻的电阻值控制在所期望的电阻值的结构以及制造方法。

本发明的目的在于，提供一种半导体装置及其制造方法，其中，该半导体装置包括ESD保护器件，该ESD保护器件由具有镇流电阻的MIS晶体管构成，无需带来制造工序的复杂化就能够实现所期望电阻值的镇流电阻，并能够抑制镇流电阻值以及ESD耐性的偏差。

用于解决课题的手段

本发明提供一种半导体装置，其特征在于，具有：第一MIS晶体管，其形成于半导体基板上，并具有第一栅极绝缘膜、形成于所述第一栅极绝缘膜上的第一栅电极、以及形成于所述半导体基板内的第一源极/漏极区域；第二MIS晶体管，其形成于所述半导体基板上，并具有比所述第一栅极绝缘膜更厚的第二栅极绝缘膜、形成于所述第二栅极绝缘膜上的第二栅电极、形成于所述半导体基板内的第二源极/漏极区域、以及与所述第二源极/漏极区域连接并形成于所述半导体基板内的镇流电阻；硅化金属阻止区绝缘膜，其通过比所述第二栅极绝缘膜更薄的绝缘膜而形成于所述镇流电阻上；硅化物膜，其形成于所述第一源极/漏极区域上以及所述第二源极/漏极区域上。

另外，本发明还提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法是在该半导体装置的半导体基板的第一区域形成有第一MIS晶体管，而且在所述半导体基板的第二区域形成有具有镇流电阻的第二MIS晶体管，其特征在于，包括：形成第一绝缘膜的工序，对所述半导体基板进行热氧化，从而在所述第一区域以及所述第二区域上形成第一绝缘膜；去除第一绝缘膜的工序，去除所述第一区域以及所述第二区域的所述镇流电阻形成区域的所述第一绝缘膜；形成第一栅极绝缘膜及第二栅极绝缘膜的工序，对所述半导体基板进行热氧化，从而在所述第一区域以及所述镇流电阻形成区域形成第一栅极绝缘膜，在除了所述镇流电阻形成区域以外的所述第二区域形成第二栅极绝缘膜的工序，其中，所述第二栅极绝缘膜是对所述第一绝缘膜进行补充氧化而形成的；形成第一栅电极及第二栅电极的工序，在所述第一栅极绝缘膜上形成第一栅电极，在所述第二栅极绝缘膜上形成第二栅电极；形成第一杂质层的工序，将所述第一栅电极作为掩模而向所述第一区域以及所述镇流电阻形成区域的所述半导体基板导入杂质，从而形成第一杂质层；形成第二杂质层的工序，将所述第二栅电极作为掩模而向所述第二区域的所述半导体基板导入杂质，从而形成第二杂质层，而且在所述镇流电阻形成区域形成具有所述第一杂质层以及所述第二杂质层的所述镇流电阻。

发明的效果