[发明专利]半导体晶片的容置盒以及半导体晶片的容置方法有效

专利信息
申请号: 200580052252.8 申请日: 2005-12-06
公开(公告)号: CN101326623A 公开(公告)日: 2008-12-17
发明(设计)人: 新城嘉昭;下别府佑三;手代木和雄;吉本和浩 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01L21/673 分类号: H01L21/673;B65D85/86
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 晶片 容置盒 以及 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种用于搬运或者保管半导体晶片的容置盒以及该半导体晶片的容置方法。

背景技术

近几年,伴随着半导体封装小型化、薄型化的要求,半导体晶片也正在向薄型化发展。但是,若在搬运或者保管薄型化的半导体晶片时仍旧采用以往的容置方式,将产生半导体晶片容易碎裂的问题,从而需要一种新的容置方式。

在半导体晶片的搬运或保管过程中,通常使用容置盒,所述容置盒在其内部形成隔开一定间隔配设的切口(slit)部。作为这样的容置盒,存在最多能够容置25张半导体晶片的装置。此外,还通过向半导体晶片之间插入层间纸来堆叠多枚半导体晶片的方式容置半导体晶片的容置盒。作为半导体晶片搬运或者保管的形式,公知了各种容置盒(例如,参照专利文献1、专利文献2、专利文献3)。

专利文献1:JP特开平6-085046号公报

专利文献2:JP特开2000-355392号公报

专利文献3:JP特开平7-161805号公报

发明内容

发明将要解决的问题

如上所述,伴随着近几年的半导体封装小型化、薄型化的需要,半导体晶片也正在向薄型化发展。存在从当初厚度约为0.7mm的半导体晶片到最近厚度约为0.05mm的各种半导体晶片。

一般的容置盒在内部形成隔开一定间隔配设的槽(或者切口部)。沿着该槽容置半导体晶片。通常,因为前提是在该容置盒中容置未处理的半导体晶片(例如,厚度约0.7mm),所以以大致1mm~2mm的间隔形成盒内部的槽。

可是,该容置盒并不是固定支承晶片周边部的构造。因此,虽然通用性强,但是在搬运或者保管时有产生缺陷的危险。即,若半导体晶片继续向薄型化发展,对于不同厚度的半导体晶片,由于受搬运时的振动或者冲击,很容易在半导体晶片上产生碎裂或缺口等缺陷。

图1A、图1B以及图1C表示以往的伸缩型容置盒的一个例子。

图1A是表示该伸缩型容置盒4为伸长状态时的剖视图。图1B是表示该伸缩型容置盒4为收缩状态时的剖视图。图1C是表示该伸缩型容置盒4的结构的立体图。

如图1C所示,该容置盒4是蛇腹式的收缩盒,在其前面与后面形成开口,在后面的开口上设置合适的阻止膜构件(未图示)。在容置盒4的左壁面以及右壁面上,多个隔开一定间隔配设的切口部6以在上表面2与底面3之间延伸的方式被形成。在容置盒4的上表面2上,设置用于把持容置盒4的把手部5。各切口部6由上侧斜面部6a和下侧斜面部6b构成。

在此,对使用该伸缩型容置盒4来容置或者搬运薄型化的半导体晶片1时的情况进行说明。

如图1A所示,研削变薄的半导体晶片1的前端具有锋利的形状(晶片边缘)。若向容置盒4的一个切口部6中插入该半导体晶片1,则晶片边缘只与该切口部6的下侧斜面部6b相接触。

在容置或者搬运半导体晶片1时,如图1B所示,施加外力使容置盒4成为收缩状态。因此,在容置或者搬运时,该半导体晶片1容易产生碎裂或者缺口等缺陷。

这样的缺陷是由于将原厚度的半导体晶片1周边部的R形部分研削至原厚度的一半以下而产生的。将半导体晶片加工的越薄,晶片边缘就变得越锋利,只施加很小的外力晶片就会碎裂。

此外,该方式的容置盒有容置盒高度高,容置容积大的缺点。因此,为了保管该容置盒4需要大的空间,而且向其他地方搬运时的运输成本也变高。因此,期待着容置盒自身小型化。

作为解决这些问题点的装置,设计了一种在半导体晶片之间使用层间纸,可层积多枚半导体晶片的层叠型的容置盒。

但是,通过这样的装置,半导体晶片侧面与容置盒的内壁表面相连接,在使用于上述薄型化的半导体晶片的情况下,不能保证能够充分地避免产生碎裂或者缺口等的缺陷。

此外,虽然设计了如专利文献3所示的蛇腹式的伸缩盒,但是在搬运或者容置具有锋利边缘的半导体晶片时,将会产生碎裂或者缺口等的缺陷。使用图2对于这一点进行说明。

在图2中,包含虚线所表示的部分的原厚度的半导体晶片具有研削加工(背面磨削:back grind)之前的底面1d、形成半导体集成电路图案、的图案、面1a。

通过研削加工(背面磨削),使半导体晶片薄型化成为图2实线表示的形状。此时,半导体晶片1具有图案、面1a、研削加工(背面磨削)后的背面磨削面1b。研削加工的结果是将半导体晶片1的周边部中的R形状的部分研削至原厚度一半以下的厚度。因此,在半导体晶片1的前端形成锋利形状的晶片边缘1c。

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