[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

通过在半导体衬底上形成元件分离绝缘膜，在上述半导体衬底上划定相互平行且隔开有间隔的多个带状的有源区域的工序；

在位于上述有源区域的上述半导体衬底上形成隧道绝缘膜的工序；

分别在上述隧道绝缘膜和上述元件分离绝缘膜上形成第一导电膜的工序；

在上述第一导电膜上涂敷光致抗蚀剂的工序；

使用曝光用掩模，对上述光致抗蚀剂进行曝光的工序，所述曝光用掩模具有在透明基板上相互平行地形成了多个带状的遮光图案的结构，所述遮光图案具有向末端宽度依次变窄的二个以上的宽度狭窄部；

对上述光致抗蚀剂进行显影，形成包含上述多个有源区域的每一个且相互分开的多个带状的抗蚀图案的工序；

将上述抗蚀图案用作掩模，选择性地对上述第一导电膜进行蚀刻的工序；

除去上述抗蚀图案的工序；

在除去上述抗蚀图案之后，分别在上述元件分离绝缘膜和上述第一导电膜上形成中间绝缘膜的工序；

在上述中间绝缘膜上形成第二导电膜的工序；

通过对上述第一导电膜、上述中间绝缘膜以及上述第二导电膜进行图案成形，在上述有源区域上形成依次形成有上述隧道绝缘膜、浮栅、上述中间绝缘膜以及控制栅的闪存单元，并在上述有源区域的末端的上述元件分离绝缘膜上形成依次形成有岛状的下部导体图案、上述中间绝缘膜的切片以及虚设导体图案的结构体的工序。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成上述闪存单元和上述结构体的工序，包括：

第一蚀刻步骤，选择性地蚀刻除去在上述第二导电膜中不成为上述控制栅以及上述虚设导体图案的部分；

第二蚀刻步骤，选择性地蚀刻除去在位于上述控制栅和上述虚设导体图案之间的上述第一导电膜的上面所形成的上述中间绝缘膜；

第三蚀刻步骤，在对上述中间绝缘膜进行蚀刻之后，使用上述中间绝缘膜的蚀刻速率比上述第二导电膜的蚀刻速率更慢的蚀刻剂，选择性地蚀刻除去位于上述控制栅和上述虚设导体图案之间的上述第一导电膜。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

上述第三蚀刻步骤中的上述蚀刻剂采用Cl₂和O₂的混合气体，而且

上述第一导电膜采用多晶硅膜，上述中间绝缘膜采用ONO膜。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成上述闪存单元和上述结构体的工序中，将上述控制栅和上述虚设导体图案形成为带状，该带状是指，在与上述有源区域的延伸方向垂直的方向上相互平行地延伸的带状形状。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成上述闪存单元和上述结构体的工序中，将上述虚设导体图案的靠近上述控制栅一侧的长边形成在与上述遮光图案的上述宽度狭窄部相交的位置上。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成上述闪存单元和上述结构体的工序中，以包含上述下部导体图案的方式形成上述虚设导体图案。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在对上述光致抗蚀剂进行曝光的工序中，将曝光装置的焦点设定在不使上述遮光图案的投影像彼此连在一起的离焦范围内。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，上述第一导电膜采用多晶硅膜。