[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 200580052304.1 | 申请日: | 2005-12-14 |
公开(公告)号: | CN101326635A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | 中川进一;三宫逸郎 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | H01L21/8247 | 分类号: | H01L21/8247;H01L21/027;H01L27/115 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张龙哺 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。
背景技术
现在,即使切断电源也能够保持所存储信息的闪存(flash memory)使用在手机这样的移动设备中,其技术已经被广泛普及。
该闪存中的每一个存储单元(memory cell)是将隧道绝缘膜、浮栅(Floating gate)、中间绝缘膜、控制栅(control gate)依次形成在半导体衬底上而成的,这样的存储单元与周边电路一起集成成在半导体衬底上,从而构成一个闪存。
例如,在下述专利文献1至3中公开了上述的闪存。
在闪存的制造工序中,进行通过对导电膜进行图案成形来形成控制栅的工序这样的各种图案成形工序,在图案成形之后若残留有多余的膜,则由于该膜剥落并再附着在其他部分上,从而该部分变成图案不良,进而产生半导体器件的成品率低这样的问题。
此外,不仅限于闪存,在一般的半导体器件的制造工序中,伴随着图案的细微化,因曝光工序中的光学邻近(optical proximity)效果而产生的浮栅等的设备图案的变形变得明显。为了防止这样的图案变形,通常对中间掩模(reticle)(曝光用掩模)的遮光图案实施所谓的OPC(Optical ProximityCorrection:光学邻近校正)形状校正,使得该遮光图案的投影像变成设备图案的设计形状。
例如,在下述专利文献4中,作为对带状的重复图案的OPC,提案了斜向切去各图案的角的校正。
专利文献1:JP特开2005-129760号公报
专利文献2:JP特开2005-142362号公报
专利文献3:JP特开2005-244086号公报
专利文献4:JP特开平1-188857号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种,具有闪存单元,能够提高成品率的半导体器件及其制造方法。
根据本发明的一个观点,提供一种半导体器件,其特征在于,具有:
半导体衬底;多个带状的有源区域,其在上述半导体衬底上被划定,相互平行且隔开有间隔;元件分离绝缘膜,其形成在上述半导体衬底上,并包围上述有源区域;闪存单元,其在上述有源区域上依次形成有隧道绝缘膜、浮栅、中间绝缘膜以及控制栅;岛状的下部导体图案,其针对上述有源区域的每一个,形成在上述有源区域的末端的上述元件分离绝缘膜上,并由与上述浮栅相同的材料构成;上述中间绝缘膜的切片,其以覆盖上述多个下部导体图案的方式形成,并由该下部导体图案的每一个共享;虚设导体图案,其由与上述控制栅相同的材料构成,形成在上述中间绝缘膜的切片上,并由上述下部导体图案的每一个共享;上述中间绝缘膜的栅栏,其在上述元件分离区域上,沿着上述有源区域从上述浮栅的侧面向上述下部导体图案的侧面延伸。
此外,根据本发明的另一观点,提供一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:通过在半导体衬底上形成元件分离绝缘膜,在上述半导体衬底上划定相互平行且隔开有间隔的多个带状的有源区域的工序;在位于上述有源区域的上述半导体衬底上形成隧道绝缘膜的工序;分别在上述隧道绝缘膜和上述元件分离绝缘膜上形成第一导电膜的工序;在上述第一导电膜上涂敷光致抗蚀剂的工序;使用曝光用掩模,对上述光致抗蚀剂进行曝光的工序,所述曝光用掩模具有在透明基板上相互平行地形成了多个带状的遮光图案的结构,所述遮光图案具有向末端宽度依次变窄的二个以上的宽度狭窄部;对上述光致抗蚀剂进行显影,形成包含上述多个有源区域的每一个且相互分开的多个带状的抗蚀图案的工序;将上述抗蚀图案用作掩模,选择性地对上述第一导电膜进行蚀刻的工序;除去上述抗蚀图案的工序;在除去上述抗蚀图案之后,分别在上述元件分离绝缘膜和上述第一导电膜上形成中间绝缘膜的工序;在上述中间绝缘膜上形成第二导电膜的工序;通过对上述第一导电膜、上述中间绝缘膜以及上述第二导电膜进行图案成形,在上述有源区域上形成依次形成有上述隧道绝缘膜、浮栅、上述中间绝缘膜以及控制栅的闪存单元,并在上述有源区域的末端的上述元件分离绝缘膜上形成依次形成有岛状的下部导体图案、上述中间绝缘膜的切片以及虚设栅电极的结构体的工序。
下面,对本发明的作用进行说明。
根据本发明,在对光致抗蚀剂进行曝光的工序,使用具有多个带状的遮光图案的光用掩模,所述遮光图案具有朝向末端宽度依次变窄的二个以上的宽度狭窄部。
通过设置二个以上的这样的宽度狭窄部,能够防止因光学邻近效果而引起的焦点范围的减小,即使曝光时的聚焦稍微偏移,也能够防止投影像彼此之间相接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造