[发明专利]一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液无效

专利信息
申请号: 200610014417.9 申请日: 2006-06-23
公开(公告)号: CN101092584A 公开(公告)日: 2007-12-26
发明(设计)人: 仲跻和;刘玉岭 申请(专利权)人: 天津晶岭电子材料科技有限公司
主分类号: C10M145/26 分类号: C10M145/26;C10M153/04;H01L21/304;C10N40/00
代理公司: 国嘉律师事务所 代理人: 高美岭
地址: 300457天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 半导体 晶片 加工 高效 水剂 倒角
【说明书】:

(一)技术领域

发明涉及一种用于半导体晶片加工的倒角液,特别是一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液。

(二)背景技术

半导体晶片的加工是超大规模集成电路生产的基础,它对后续工艺(外延、氧化、光刻等)有至关重要的作用。以硅片为例,硅片加工主要包括滚圆、切片、结晶定位、倒角、硅片研磨等工序。倒角就是用具有特定刃部轮廓的砂轮磨去硅圆片周围锋利的棱角。由于边缘棱角会给以后表面加工和集成电路工艺带来危害,通过倒角可以防止硅片边缘破裂以及热应力造成的缺陷。在倒角过程中,高性能的倒角液可以减少机械作用造成的微裂和破损,并提高磨具的寿命。而现有倒角液存在散热性较差,不易清洗,影响刀具寿命等缺点

(三)发明内容

本发明的目的是克服上述现有倒角液的缺点,提供一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液。

本发明的技术方案:

一种用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液,其特征在于:由渗透剂、润滑剂、表面活性剂和去离子水组成,各种成分所占的重量百分比为:渗透剂0.1%~10.0%;润滑剂10%~40%;表面活性剂0.1%~1.0%;去离子水为余量。

本发明所述渗透剂为脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚、磷酸脂或异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯。

本发明所述润滑剂采用水溶性润滑剂,为乙二醇或聚乙二醇。

本发明所述表面活性剂采用非离子型表面活性剂,为聚氧乙烯酯或烷基酚聚氧乙烯醚。

一种上述用于半导体晶片加工的高效水剂型倒角液的制备方法,其特征在于:首先将制备倒角液的各种组分分别进行过滤净化处理,然后在千级净化室环境内,将各种组分在真空负压的动力下,按其重量百分比通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌,混合均匀即可。

本发明所制备的半导体倒角液的优点是:采用无金属离子渗透剂和活性剂,无金属离子化学腐蚀,具有高效复合性。该倒角液具有润滑性好,散热性好,化学腐蚀低,可提高刀具寿命,并对设备和刀具起保护作用。本发明有效解决了微电子工艺中金属杂质沾污,损伤层深,应力大,影响刀具寿命等技术问题,且制备简单,容易操作。

(四)具体实施方式

实施例1:

一种用于硅片的倒角液,由脂肪醇聚氧乙烯醚、聚乙二醇、烷基酚聚氧乙烯醚和去离子水组成,各种成分所占的重量百分比为:脂肪醇聚氧乙烯醚5.0%;聚乙二醇30%;烷基酚聚氧乙烯醚0.5%;去离子水为余量。所述半导体倒角液的制备方法是:首先将制备倒角液的各种组分分别进行过滤净化处理,然后在千级净化室的环境内,将各种组分在真空负压的动力下,按其重量百分比通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌,混合均匀即可。通过实验表明,该倒角液散热性和润滑性良好,刀具寿命提高1倍以上。

实施例2:

一种用于锗晶片的倒角液,由磷酸脂、乙二醇、聚氧乙烯酯和去离子水组成,各种成分所占的重量百分比为:磷酸脂7%;乙二醇35%;聚氧乙烯酯1%;去离子水为余量。所述半导体倒角液的制备方法是:首先将制备倒角液的各种组分分别进行过滤净化处理,然后在千级净化室的环境内,将各种组分在真空负压的动力下,按其重量百分比通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌,混合均匀即可。通过实验表明,该倒角液散热性和润滑性良好,晶片完整且易清洗。

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