[发明专利]一种钨抛光液及其制备方法无效
申请号: | 200610014594.7 | 申请日: | 2006-06-30 |
公开(公告)号: | CN101096572A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 仲跻和;刘玉岭 | 申请(专利权)人: | 天津晶岭电子材料科技有限公司 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;B24B9/04 |
代理公司: | 国嘉律师事务所 | 代理人: | 卢枫 |
地址: | 300385天津市天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抛光 及其 制备 方法 | ||
(一)技术领域:
本发明涉及一种钨抛光液及其制备方法,特别是一种用于钨的抛光液及其制备方法。
(二)背景技术:
钨是半导体集成电路中被广泛应用的一种金属材料,由于金属钨材料本身特性,及大规模集成电路对表面要求的精度很高,给材料表面平坦化加工带来了很大难度。目前国际上主要采用酸性抛光液进行抛光加工,对设备的损害比较严重,而且抛光后清洗难度增加。
(三)发明内容:
本发明的目的在于提供一种用于钨的抛光液及其制备方法,它能克服现有技术中的清洗缺点,做到高效清洗并对设备没有损害。
本发明的技术方案:一种用于金属钨的抛光液,其特征在于它是由磨料、氧化剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水混合组成,其中磨料占总重量的10%~50%,氧化剂占总重量的0.01%~6%,PH值调节剂占总重量的1%~6%,螯合剂占总重量的0.01%~1%,去离子水占总重量的37%~88.98%,抛光液PH值范围为11~12,粒径为15nm~100nm。
上述所说的一种用于金属钨的抛光液的组成部分中,所说的磨料是指粒径范围为15nm~100nm的水溶硅溶胶或金属氧化物的水溶胶。
上述所说的金属氧化物的水溶胶是SiO2、Al2O3、CeO2或TiO2的水溶胶。
上述所说的一种用于金属钨的抛光液的组成部分中,所说的氧化剂是双氧水、硝酸盐或过硫酸盐。
上述所说的一种用于金属钨的抛光液的组成部分中,所说的PH调节剂是氢氧化钠、氢氧化钾、多羟多胺和胺中的一种或两种以上组合。
上述所说的一种用于金属钨的抛光液的组成部分中,所说的螯合剂是具有水溶性且不含金属离子的化合物。
上述所说的具有水溶性且不含金属离子的化合物是羟胺、胺盐或胺中的一种或两种以上组合。
一种用于金属钨的抛光液的制备方法,其特征在于首先将制备抛光液所需的磨料、氧化剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水按配方比例取料,并分别进行过滤净化处理,然后在千级净化室的环境内,将各种组分在真空负压的动力下,通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌,混合均匀即可。
本发明的优越性在于:(1)抛光液是碱性,不腐蚀污染设备,容易清洗;(2)金属层钨抛光速率快,可控性好,抛光后平整性好;(3)使用不含金属离子的鳌合剂,对有害金属离子的鳌合作用强;工艺简单,成本低。
(四)具体实施方式:
实施例1:一种用于金属钨的抛光液,其特征在于它是由磨料、氧化剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水混合组成。
上述所说的金属钨抛光液的具体实验方案如下:
要配置200g抛光液,需取占总重量为20%的CeO2磨料40g,粒径100-120nm;占总重量为0.5%的双氧水1g,占总重量为2%的四羟基乙基乙二胺4g;占总重量为2%的氢氧化钾4g;占总重量为75.5%的去离子水。
抛光液的制备方法为:首先将制备抛光液所需的CeO2磨料、双氧水、四羟基乙基乙二胺、氢氧化钾和去离子水按上述配方比例取料,并分别进行过滤净化处理,然后在千级净化室的环境内,将各种组分在真空负压的动力下,通过质量流量计输入容器罐中并充分搅拌,混合均匀即可。
实验检测结果:上述抛光液PH值为11.2,粒径分布为100-120nm。用配好的抛光液在风雷C6382I/YJ型抛光机上,在压力为100g/cm2、抛光盘转速为80转/分钟、流量900ml/分钟的条件下,对钨片进行抛光,测得钨的平均速率为0.1微米/分钟,表面质量良好。
实施例2:一种用于金属钨的抛光液,其特征在于它是由磨料、氧化剂、PH值调节剂、螯合剂和去离子水混合组成。
上述所说的金属钨抛光液的具体实验方案如下:
要配置2000g抛光液,需取占总重量为37.5%的750g水溶硅溶胶磨料,粒径60-80nm;占总重量为0.75%的硝酸铝15g,占总重量为1.5%的EDTA 30g,占总重量为3%的氢氧化钾60g,占总重量为57.25%的去离子水。
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