[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200610025422.X | 申请日： | 2006-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101051610A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;刘燕丽 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
1、一种半导体器件的制造方法，包括：
a提供一半导体衬底，在衬底上形成介质叠层，所述介质叠层包括上层氧化硅-中间氮化硅-下层氧化硅；
b在所述介质叠层上上形成多晶硅层；
c使用第一气体刻蚀所述多晶硅层形成多晶硅栅极；
d使用第二气体对所述上层氧化硅和中间氮化硅执行主刻蚀操作；
e使用CHF3对所述中间氮化硅执行过刻蚀操作。
2、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二气体为四氟化碳(CF4)和三氟甲烷(CHF3)的混合气体的等离子体。
3、如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述混合气体中，三氟甲烷(CHF3)所占比例为5％～20％。
4、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一气体为溴化氢HBr、溴气Br2、氯气Cl2、氧气O2、氦气He2、氮气N2、氩气Ar和氖气Ne气体中至少其中之一气体的等离子体。
5、如权利要求1、2或3所述的方法，其特征在于：步骤d所述的刻蚀过程与步骤c所述刻蚀过程在相同或不同的反应室内进行。
6、如权利要求5所述的方法，其特征在于：各所述反应室内压力为50-100mT。
7、如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述反应室内射频电源输出功率为100-300W。
8、如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述刻蚀时间10-20秒。
9、如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述多晶硅栅极为金属栅电极。
10、如权利要求9所述的方法，其特征在于：所述金属栅电极至少包括下列中的一种：钛Ti，、钽Ta、钨W、氮化钛TiN、氮化钽TaN和氮化钨WN。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
