[发明专利]防止位线崩溃的COB－DRAM的位线制作方法

权利要求书

1.防止位线崩溃的COB-DRAM的位线制作方法，包括如下步骤：

a)淀积用于形成第二多晶硅接触孔的氧化物层；

b)刻蚀形成第二多晶硅接触孔；

c)进行金属插塞的接触金属与氧化物层之间的阻障层金属淀积及金属插塞的接触金属淀积；

d)进行其阻障层与金属插塞的接触金属的平坦化，终止于形成第二多晶硅接触孔的氧化物层；

e)淀积一第一氧化物层，及形成位线沟槽光刻胶图案；

f)位线沟槽刻蚀；

g)位线间隔层淀积，及其回蚀；

h)位线金属与氧化物层之间的阻障层金属淀积；

i)位线金属淀积，及其平坦化，终止于已形成位线沟槽的第一氧化物层；

j)位线金属回蚀；

k)位线硬掩模材料淀积，及其回蚀，停止于已形成位线沟槽的第一氧化物层；

l)淀积第二氧化物层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的接触金属为钨，接触金属与氧化物层之间的阻障层为钛/氮化钛。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的位线金属为钨，位线金属与氧化物层之间的阻障层为钛/氮化钛。

4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述的位线金属淀积层采用化学机械研磨进行平坦化。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的a)步骤所用氧化物为高密度等离子氧化物。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的间隔层材料为氮化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的硬掩模为氮化硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第一氧化物层为等离子增强氧化物。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的第二氧化物层为等离子增强氧化物。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的沟槽刻蚀采用反应性离子刻蚀。