[发明专利]一种晶体硅太阳电池热扩散制备PN结的方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池热扩散制备PN结的方法，在常规晶体硅太阳电池生产工艺为1.硅片清洗、2.清除硅片损伤层及制备绒面、3.热扩散制备PN结、4.清除硅片周边PN结、5.清除硅片光照面的氧化层、6.制备减反射膜、7.丝网印刷背电极银浆，背电场铝浆及正面电极银浆、8.铝背场烧结及银电极合金、9.测试检验中，在第3步热扩散制备PN结工艺中增加硅片降温、控制温度和时间；扩散工艺参数包括扩散温度、扩散时间及气体流量，其特征在于，所述的热扩散制备PN结，包括以下工艺步骤：

a、设置热扩散工艺参数制备PN结，热扩散磷杂质源的扩散温度为800℃～950℃，热扩散硼杂质源的扩散温度为1000℃～1500℃，扩散杂质源时间为10～40分钟；

b、对石英管中硅片降温，使硅片温度比扩散温度低200℃～300℃，降温时间为10～60分钟；

c、从高温扩散炉中的石英管中取出硅片。