[发明专利]能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法无效
| 申请号： | 200610029474.4 | 申请日： | 2006-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101114607A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 杨织森 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 避免 镶嵌 结构 平坦 化工 产生 缺陷 方法 | ||
1.一种能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法，其特征在于包括以下步骤：提供一具有MOS组件的半导体基底，其上依次形成有一铜金属层、一第一刻蚀终止层、一第一介电层、一第二刻蚀终止层及一第二介电层；
对该半导体基底进行一刻蚀工艺，以形成一沟槽与一中介窗，其中该中介窗贯穿该第一介电层与该第二刻蚀终止层，该沟槽贯穿该第二介电层且底部与该中介窗相连接；
在该半导体基底上沉积一铜导线层；
对该半导体基底依次进行一等离子表面前处理与一退火工艺；以及
对该半导体基底进行一平坦化工艺，以移除该沟槽外多余的该铜导线层与部分该第二介电层，以获得一填满该沟槽与该中介窗的铜金属导线。
2.根据权利要求1所述的能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法，其特征在于：所述第一介电层的材料为氟硅玻璃。
3.根据权利要求1所述的能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法，其特征在于：所述第二介电层的材料为氟硅玻璃。
4.根据权利要求1所述的能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法，其特征在于：所述第一刻蚀终止层的材料为氮化硅。
5.根据权利要求1项所述的能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法，其特征在于：所述第二刻蚀终止层的材料为氮化硅。
6.根据权利要求1所述的能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法，其特征在于：所述刻蚀工艺包括下列步骤：
在所述第二介电层上形成一第一图案化光致抗蚀涂层；
以该第一图案化光致抗蚀涂层为掩膜对该第二介电层、该第二刻蚀终止层及该第一介电层进行刻蚀，以形成一中介窗；
移除该图案化第一光致抗蚀涂层，在该半导体基底上形成一第二图案化光致抗蚀涂层；以及以该第二图案化光致抗蚀涂层为掩膜，对该第二介电层进行刻蚀，以形成一沟槽。
7.根据权利要求1所述的能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法，其特征在于：所述沉积该铜导线层前，还包括在该半导体基底上依次沉积一停止层以及一铜种晶层步骤。
8.根据权利要求7所述的能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法，其特征在于：所述停止层的材料选自钽、氮化钽。
9.根据权利要求1所述的能避免铜双镶嵌结构在平坦化工艺时产生缺陷的方法，其特征在于：所述平坦化工艺为化学机械抛光法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
