[发明专利]双镶嵌结构的制造方法

权利要求书

1.一种双镶嵌结构的制造方法，包括：

提供一表面具有第一介质层的半导体衬底；

在所述第一介质层中形成金属互连线；

在所述第一介质层和所述导电结构层表面形成覆盖层；

在所述覆盖层上形成第二介质层并在所述第二介质层中形成连接孔；

在所述第二介质层上形成三层结构；

刻蚀所述三层结构和所述覆盖层直至露出所述金属互连线；

填充金属材料形成双镶嵌结构。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述三层结构包括底部抗反射层、遮挡层和光致抗蚀剂层，所述底部抗反射层覆盖所述第二介质层的表面，所述遮挡层形成于所述抗反射层表面，所述光致抗蚀剂层构图于所述遮挡层表面。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述遮挡层为利用等离子增强化学气相淀积工艺在150℃～300℃的温度范围内淀积形成。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述遮挡层为富硅聚合物，利用旋涂(spin-on)工艺形成，厚度为500～4000。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述遮挡层为氧化硅，厚度为300～3000。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二介质层为碳氧化硅(SiCO)，氧化硅或氟化硅玻璃，厚度为1000～20000。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述覆盖层为氮化硅或氮氧化硅或氮碳氧化硅，厚度为200～1200。

8.如权利要求2或6所述的方法，其特征在于：位于所述第二介质层表面上的所述底部抗反射层的厚度为1000～8000。

9.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述光致抗蚀剂层的厚度为1000～20000。

10.一种双镶嵌结构的制造方法，包括：

提供一表面具有介质层的半导体衬底，在所述介质层中形成金属互连线；

平坦化所述介质层和所述金属互连线；

在所述介质层和所述导电结构层表面形成覆盖层；

在所述覆盖层上形成层间介电层，在所述层间介电层中形成连接孔；

在具有连接孔的层间介电层上覆盖底部抗反射层；

在所述底部抗反射层表面形成遮挡层；

在所述遮挡层表面涂覆光致抗蚀剂并图案化所述光至抗蚀剂以定义沟槽开口；

刻蚀所述光至抗蚀剂和所述遮挡层；

刻蚀所述遮挡层、底部抗反射层和层间介电层；

去除剩余的底部抗反射层和沟槽底部对应所述互连线位置的覆盖层；

然后向连接孔和沟槽中填充金属便形成了双镶嵌结构。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述遮挡层利用等离子增强化学气相淀积工艺在150℃～300℃的温度范围内形成。

12.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述遮挡层为信越(Shinetzu)公司商标为SHB的富硅聚合物利用旋涂(spin-on)工艺形成，厚度为500～4000。

13.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述遮挡层为氧化硅，厚度为300～3000。

14.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述层间介质层为应用材料(Applied Materials)公司商标为黑钻石的碳氧化硅(SiCO)、氧化硅或氟化硅玻璃，厚度为1000～20000。

15.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述覆盖层为氮化硅或氮氧化硅或氮碳氧化硅，厚度为200～1200。

16.如权利要求10或14所述的方法，其特征在于：位于所述第二介质层表面上的所述底部抗反射层的厚度为1000～8000。

17.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述光致抗蚀剂的厚度为1000～20000。